儲雙杰1, 楊勇杰1, 和正華2, 沙玉輝,2, 左良2,3

綠色環(huán)保是現(xiàn)代能源與電力工業(yè)發(fā)展的重要趨勢，降低鐵芯損耗和噪音成為亟需解決的問題[1,2,3,4]。取向硅鋼是制作變壓器鐵芯的關(guān)鍵材料，分為普通取向硅鋼(CGO)和高磁感取向硅鋼(HiB)，高磁感取向硅鋼具有更高晶粒取向度，磁感更高、鐵損更低且磁致伸縮系數(shù)更小。提高取向硅鋼晶粒取向度和減薄板厚規(guī)格可有效降低鐵損。隨著生產(chǎn)技術(shù)不斷完善，高磁感取向硅鋼晶粒取向度已逐漸接近極限[5]，而進(jìn)一步減薄鋼板厚度會大幅提高生產(chǎn)成本和技術(shù)難度。高磁感取向硅鋼二次再結(jié)晶晶粒粗大，通過激光刻痕在鋼板表面引入局部殘余應(yīng)力，作為“人工晶界”細(xì)化沿軋向的主疇間距進(jìn)而降低異常損耗，已成為高磁感取向硅鋼降低鐵損的常用工藝方法。如果兼顧取向硅鋼晶粒取向與尺寸以及激光刻痕參數(shù)等因素的綜合影響，總鐵損降幅可達(dá)到10%~15%[6,7,8]。

激光在刻痕線附近產(chǎn)生殘余應(yīng)力和塑性變形以及刻痕線間張力，除細(xì)化主疇進(jìn)而降低鐵損外，亦會顯著影響取向硅鋼的磁致伸縮行為[9,10]?？毯廴∠蚬桎摯胖律炜s主要來自2方面：一是取向偏差角引起180°主疇壁間的橫向疇在磁化過程中湮滅和重現(xiàn)產(chǎn)生磁致伸縮[11,12,13]；二是刻痕區(qū)及附近區(qū)域(影響區(qū))的局部應(yīng)力封閉疇引發(fā)的磁致伸縮[6,14]。橫向疇數(shù)量由取向偏差角和涂層張力共同決定[15,16]，刻痕影響區(qū)應(yīng)力封閉疇體積則由刻痕參數(shù)決定[17]。Redikultsev等[18]發(fā)現(xiàn)激光刻痕能夠降低取向硅鋼磁致伸縮系數(shù)。Fujikura等[19]發(fā)現(xiàn)激光刻痕參數(shù)范圍選擇對取向硅鋼的磁致伸縮系數(shù)產(chǎn)生重要影響，刻痕能量密度過高或刻痕間距過小導(dǎo)致磁致伸縮系數(shù)提高，并提出通過合理控制橫向疇與封閉疇可使總磁致伸縮系數(shù)達(dá)到最低值。

目前，激光刻痕對取向硅鋼磁致伸縮系數(shù)的影響規(guī)律仍無定論，不過可歸因于激光刻痕取向硅鋼的磁疇結(jié)構(gòu)由刻痕工藝、取向偏差角和涂層張力等因素的交互作用。Tabrizi[17]提出激光刻痕取向硅鋼的磁致伸縮系數(shù)為刻痕影響區(qū)封閉疇和臨近區(qū)域內(nèi)橫向疇所引發(fā)磁致伸縮系數(shù)的加和，雖基于單晶磁疇觀測結(jié)果計算了激光刻痕取向硅鋼的磁致伸縮系數(shù)，但無法實現(xiàn)取向偏差角和刻痕參數(shù)等多因素作用下磁疇結(jié)構(gòu)與磁致伸縮系數(shù)的預(yù)測?，F(xiàn)有主疇結(jié)構(gòu)的計算模型，是綜合了取向偏差角引發(fā)雜散磁場能、表面磁荷引發(fā)退磁場能以及磁疇結(jié)構(gòu)能量最小化原理，用以預(yù)測取向偏差角、涂層應(yīng)力以及機械刻痕等因素的影響規(guī)律[20,21]。但由于激光刻痕復(fù)雜的應(yīng)力分布和磁疇結(jié)構(gòu)，尚未構(gòu)建起考慮取向偏差角與刻痕參數(shù)等多參數(shù)條件下磁疇結(jié)構(gòu)和磁致伸縮系數(shù)的計算方法。

本工作基于刻痕影響區(qū)的應(yīng)力分布特征，提出激光刻痕取向硅鋼退磁狀態(tài)下的磁疇結(jié)構(gòu)，引入刻痕與取向偏差角間的交互作用，通過磁疇結(jié)構(gòu)能量最小化，計算刻痕條件下取向硅鋼磁疇結(jié)構(gòu)與磁致伸縮系數(shù)；并進(jìn)一步提出取向分布條件下的磁致伸縮系數(shù)計算模型，研究刻痕參數(shù)對取向硅鋼磁疇結(jié)構(gòu)與磁致伸縮行為的影響機制及刻痕參數(shù)優(yōu)化方法。

1 計算模型

本工作中取向偏差角引發(fā)柳葉疇結(jié)構(gòu)和激光刻痕區(qū)域形成應(yīng)力封閉疇結(jié)構(gòu)模型的構(gòu)建，參考文獻(xiàn)[22,23,24,25]中磁疇模型。無刻痕取向硅鋼磁疇結(jié)構(gòu)主要由主疇、柳葉疇與橫向疇組成，如圖1a所示。單位表面包含柳葉疇主疇、柳葉疇和橫向疇系統(tǒng)的總能量為[23,24]：

式中，Elancet為柳葉疇系統(tǒng)總能量；Kc為磁晶各向異性參數(shù)；β為晶粒易磁化軸[001]方向與板面的取向偏差角；VL為表面柳葉疇體積分?jǐn)?shù)；μ*為相對磁導(dǎo)率；t為板厚；WL為表面柳葉疇長度；Ww為表面柳葉疇寬度；Dw為主疇寬度；γ180和γ90為疇壁能，其中γ180=2(AsKc)1/2，γ90=(AsKc)1/2，As為剛度常數(shù)；λ100為單晶<100>方向的磁致伸縮系數(shù)；σu為涂層張力。式中，第1項為表面雜散磁場能，第2~4項分別為180°疇壁能、90°疇壁能和磁彈性能。

激光刻痕條件下，刻痕影響區(qū)形成以應(yīng)力封閉疇為主的磁疇結(jié)構(gòu)，包含內(nèi)部橫向疇和表面封閉疇，如圖1b所示。則在激光刻痕影響區(qū)內(nèi)的應(yīng)力封閉疇能量為：

圖1

圖1   取向硅鋼磁疇結(jié)構(gòu)模型，包括取向偏差角產(chǎn)生的柳葉疇和橫向疇及壓應(yīng)力產(chǎn)生的封閉疇

Fig.1   Models of domain structures in grain-oriented silicon steel (WL—length of lancet domain, Ww—width of lancet domain, W90—width of closure domain, ND—normal direcition, RD—rolling direcrtion)

(a) lancet domain and transverse domain (b) stress closure domain

式中，Eclosure為應(yīng)力封閉疇系統(tǒng)總能量，D1為刻痕影響區(qū)深度，D2為刻痕影響區(qū)寬度，Dp為刻痕線間距，W90為表面封閉疇寬度，C11為彈性模量，α為封閉磁疇與橫向疇的夾角，σc為刻痕影響區(qū)的壓應(yīng)力。其中，式(2)前2項分別為磁彈性自由能與磁彈性能，后2項分別為90°疇壁能和180°疇壁能?？毯塾绊憛^(qū)尺寸D1和D2由應(yīng)力沿深度和寬度方向的分布規(guī)律確定[9,10]，則可根據(jù)總能的最小化求解應(yīng)力封閉疇的結(jié)構(gòu)參數(shù)和體積分?jǐn)?shù)。

刻痕影響區(qū)局部殘余應(yīng)力形成封閉疇的同時，應(yīng)力封閉疇和刻痕區(qū)域的雜散磁場導(dǎo)致鋼板表面雜散磁場降低，進(jìn)而影響柳葉疇與橫向疇數(shù)量。因此，本工作提出在具有激光刻痕時的磁疇能量計算中，需要考慮引入刻痕影響區(qū)的應(yīng)力封閉疇、刻痕區(qū)雜散磁場能及取向偏差角產(chǎn)生的退磁能等能量的交互影響。則激光刻痕取向硅鋼總能量為：

式中，Eg為總能，EstT為激光刻痕后的總雜散磁場能，Emain為總180°主疇壁能，E90為總90°疇壁能，EetL為總磁彈性能。EstT包括取向偏差角引發(fā)的表面磁荷雜散磁場能(式(4)第1項)、刻痕局部區(qū)域的雜散磁場能[20]和封閉疇表面雜散磁場能(式(4)第2項)。EstL為柳葉疇產(chǎn)生的雜散磁場能，可忽略不計。VC為應(yīng)力封閉疇體積分?jǐn)?shù)，Bs為飽和磁感應(yīng)強度，μ0為真空磁導(dǎo)率。刻痕影響區(qū)特征與刻痕能量密度(Ea)的關(guān)系通過激光熱輻射方程和彈塑性熱應(yīng)力分析確定[27,28]。應(yīng)力封閉疇結(jié)構(gòu)特征利用式(2)進(jìn)行求解。因此，根據(jù)式(3)~(7)中能量最小化求解的主疇與柳葉疇結(jié)構(gòu)，綜合考慮了激光刻痕引入應(yīng)力封閉疇磁疇結(jié)構(gòu)和雜散磁場能對橫向疇數(shù)量的影響，可反映刻痕與取向偏差角對磁疇結(jié)構(gòu)的綜合作用。

刻痕條件下磁致伸縮系數(shù)主要由橫向疇和應(yīng)力封閉疇產(chǎn)生，磁致伸縮系數(shù)計算為[11,16,17,26]：

式中，λtot為整體磁致伸縮系數(shù)，λtransverse和λclosure分別為橫向疇和應(yīng)力封閉疇產(chǎn)生的磁致伸縮系數(shù)，Bm為瞬時磁感應(yīng)強度，VT為橫向疇體積分?jǐn)?shù)，WC為刻痕影響區(qū)的應(yīng)力封閉疇寬度。

式(8)中VT利用柳葉疇的尺寸進(jìn)行求解[26]，VC和WC由式(2)中刻痕影響區(qū)應(yīng)力封閉疇結(jié)構(gòu)求解得到。因此，本工作綜合考慮激光刻痕參數(shù)和取向偏差角對應(yīng)力封閉疇與橫向疇結(jié)構(gòu)的影響，提出了反映刻痕參數(shù)與取向偏差角交互作用的磁致伸縮系數(shù)計算模型。

本工作計算所用的物理參數(shù)[10]如下：Kc=3.62×104 J/m2，As=1.51×10-11 J/m，μ0=4π×10-7 A·m，Bs=2.03 T；t=0.23 mm，σu=5~15 MPa，σc=10~40 MPa，D2=0.1 mm。其中，為表征Ea的影響，選取Dp=4~5 mm。為了表征Dp的影響，Dp選取范圍為2~10 mm。刻痕方式采用連續(xù)刻痕，刻痕線平行于取向硅鋼板橫向。

2 計算結(jié)果

圖2為刻痕影響區(qū)應(yīng)力封閉疇能量Eclosure、柳葉疇與橫向疇能量Elancet、總180°疇壁能Emain和總雜散磁場能EstT隨Ea的變化關(guān)系。其中，β=3°，Dp=4 mm，D2=0.1 mm。Eclosure隨Ea的提高而增大，表明Ea提高導(dǎo)致應(yīng)力封閉疇數(shù)量增加。Elancet隨Ea的提高而減小，是由于應(yīng)力封閉疇的形成降低了取向偏差產(chǎn)生的退磁能。Emain隨著Ea的提高而增大，表明Ea提高導(dǎo)致主疇細(xì)化。EstT隨著Ea的提高先降低后提高，這可歸因于應(yīng)力封閉疇形成、柳葉疇和橫向疇減小和主疇細(xì)化等磁疇結(jié)構(gòu)間的交互作用。其中，取向偏差產(chǎn)生的雜散磁場能因刻痕影響區(qū)應(yīng)力封閉疇形成和主疇細(xì)化而減小，刻痕區(qū)內(nèi)的雜散磁場能隨刻痕能量密度的提高而增大。

圖2

圖2   不同磁疇能量和刻痕區(qū)雜散磁場能與刻痕能量密度(Ea)的關(guān)系

Fig.2   Domain energies (Emain, Elancet, Eclosure) and stray field energy (EstT) as a function of laser energy density (Ea) (Emain—energy of 180° domain wall, Elancet—energy of lancet domain system, Eclosure—energy of closure domain system, β—orientation deviation angle, Dp—laser-scribing spacing, D2—laser-scribed width)

圖3為不同Ea下橫向疇和應(yīng)力封閉疇引發(fā)的磁致伸縮系數(shù)隨β的變化。橫向疇產(chǎn)生的磁致伸縮系數(shù)，隨β的增大而明顯增加，隨Ea提高而降低且降低幅度逐漸減小。應(yīng)力封閉疇產(chǎn)生的磁致伸縮系數(shù)，隨Ea增強而提高。其中，低取向偏差角(β<3°)時橫向疇產(chǎn)生的磁致伸縮系數(shù)很小，而在高取向偏差角(β≥3°)時磁致伸縮系數(shù)明顯增大。對比2種磁疇結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的磁致伸縮系數(shù)，低取向偏差角下磁致伸縮系數(shù)主要由應(yīng)力封閉疇數(shù)量決定，磁致伸縮系數(shù)隨Ea提高而增大；而高取向偏差角下磁致伸縮系數(shù)主要由橫向疇數(shù)量決定，隨Ea提高而減小。

圖3

圖3   刻痕條件下橫向疇和應(yīng)力封閉疇產(chǎn)生的磁致伸縮系數(shù)隨取向偏差角的變化

Fig.3   Dependence of magnetostriction coefficients on β under different Ea (λtransverse—magnetostriction coefficient induced by transverse domain, λclosure—magnetostriction coefficient induced by closure domain)

實際上，盡管取向硅鋼成品板為單一Goss織構(gòu)，但各晶粒取向間仍存在一定差異。因此，有必要進(jìn)一步研究取向偏差角呈現(xiàn)分布特征時的磁致伸縮系數(shù)。圖4為取向偏差角分布條件下取向硅鋼磁致伸縮系數(shù)隨Ea變化的計算結(jié)果。其中，利用正態(tài)分布表征取向偏差角分布，平均取向偏差角β取3.0°，D2=0.1 mm，Dp=5 mm，σu=15 MPa。不考慮刻痕與取向偏差角產(chǎn)生橫向疇間的交互作用時，磁致伸縮系數(shù)隨Ea提高而單調(diào)增大?？紤]刻痕對取向偏差角產(chǎn)生橫向疇間的交互作用時，磁致伸縮系數(shù)隨Ea提高呈先減小后增大的規(guī)律，且均顯著低于不考慮交互作用的情況。由Ea對橫向疇產(chǎn)生磁致伸縮系數(shù)的影響可知，當(dāng)刻痕導(dǎo)致應(yīng)力封閉疇體積引發(fā)的磁致伸縮系數(shù)的增幅超過橫向疇降低引發(fā)磁致伸縮的降幅時，總磁致伸縮系數(shù)隨Ea提高而增大，反之則減小。

圖4

圖4   不同磁感應(yīng)強度下取向硅鋼磁致伸縮系數(shù)隨Ea的變化

Fig.4   Magnetostriction coefficients as a function of Ea under the magnetic induction intensity Bm=1.7 T (a) and Bm=1.9 T (b) (B8—magnetic induction intensity at external magnetic field of 800 A/m. The parameters for measurement and calculation are Dp=5 mm, B8=1.93 T, β= 3.0°, D2=0.1 mm)

圖4中帶誤差棒曲線為B8=1.93 T時0.23 mm厚高磁感取向硅鋼在脈沖YAG激光刻痕能量密度變化時的磁致伸縮系數(shù)(B8為外磁場為800 A/m時的磁感應(yīng)強度)，其中Dp=5 mm，D2=0.1 mm。結(jié)果表明，Bm為1.7和1.9 T時的磁致伸縮系數(shù)均隨Ea增大先降低后升高，且分別在Ea為2~3 mJ/mm2和1~2 mJ/mm2時達(dá)到最小值[19]。圖中，實測磁致伸縮系數(shù)隨Ea的變化規(guī)律，與本工作考慮刻痕對取向偏差角產(chǎn)生橫向疇間的交互作用的計算基本吻合。因此，本工作基于刻痕影響區(qū)應(yīng)力封閉疇對橫向疇影響提出的磁致伸縮計算模型，能夠反映刻痕影響區(qū)與取向偏差角的綜合作用。

利用YAG準(zhǔn)連續(xù)激光器對0.23 mm厚B8=1.92 T的高磁感取向硅鋼(寶鋼牌號B23P095)進(jìn)行不同Ea下的激光刻痕。Dp=4 mm，D2=0.1 mm。Ea對磁致伸縮的影響規(guī)律如圖5所示?？梢钥闯?，取向硅鋼的磁致伸縮系數(shù)隨著Ea的提高先降低后升高。根據(jù)樣品織構(gòu)和應(yīng)力分析，計算時平均取向偏差角β為3.5°，σu為10 MPa。計算結(jié)果顯示，考慮刻痕對刻痕與取向偏差角產(chǎn)生橫向疇間的交互影響作用時，磁致伸縮系數(shù)隨Ea增加表現(xiàn)出非線性變化，與實際測試結(jié)果更符合。因此，根據(jù)圖5可推知，在低激光刻痕能量密度條件下(Ea=1~4 mJ/mm2)可以獲得更低的磁致伸縮系數(shù)。

圖5

圖5   B23P095取向硅鋼在不同磁感應(yīng)強度下磁致伸縮系數(shù)隨Ea的變化

Fig.5   Magnetostriction coefficients of grain-orientated silicon steel B23P095 as a function of Ea under Bm=1.7 T (a) and Bm=1.9 T (b) (Dp=4 mm, B8=1.92 T, β= 3.5°, D2=0.1 mm)

刻痕間距是影響鐵損和磁致伸縮系數(shù)的重要參數(shù)。減小刻痕間距可細(xì)化主疇寬度而降低鐵損[29]，而刻痕間距對磁致伸縮系數(shù)的優(yōu)化通過影響刻痕區(qū)應(yīng)力封閉疇和橫向疇數(shù)量實現(xiàn)[17]。對平均取向偏差角分別為2.0°和3.5°的0.3 mm厚取向硅鋼，計算不同刻痕間距下的磁致伸縮系數(shù)，結(jié)果如圖6所示。其中，Ea=6 mJ/mm2，D2=0.1 mm，D1=0.05 mm，σu=10 MPa。不同取向偏差角取向硅鋼的磁致伸縮系數(shù)隨刻痕間距變化表現(xiàn)出不同趨勢。取向偏差角為2.0°時，磁致伸縮系數(shù)隨刻痕間距減小單調(diào)增加；取向偏差角為3.5°時，磁致伸縮系數(shù)隨刻痕間距減小先降低后增大。低取向偏差角時，橫向疇體積分?jǐn)?shù)較小，刻痕區(qū)雜散磁場減少橫向疇的效應(yīng)低于刻痕對應(yīng)力封閉疇增加的效應(yīng)。因此，取向偏差角為2.0°時(低取向偏差角)，磁致伸縮系數(shù)隨Dp減小表現(xiàn)為單調(diào)增加；取向偏差角為3.5°時(高取向偏差角)，較大體積分?jǐn)?shù)的橫向疇隨Dp的減小而減少，刻痕區(qū)雜散磁場降低橫向疇數(shù)量效應(yīng)提高，但進(jìn)一步降低Dp時，應(yīng)力封閉疇增多增大，磁致伸縮系數(shù)的效應(yīng)凸顯，磁致伸縮系數(shù)隨刻痕間距增大呈現(xiàn)出先降低后增大的規(guī)律。

圖6

圖6   不同取向偏差取向硅鋼磁致伸縮系數(shù)隨刻痕線間距的變化

Fig.6   Magnetostriction coefficients as a function of Dp for different β (Sheet thickness 0.3 mm, laser-scribing depth 0.05 mm, tensile force of coating 10 MPa, laser-scribed depth D1=0.05 mm, Ea=6 mJ/mm2, D2=0.1 mm)

表1所示為文獻(xiàn)[17]報道磁致伸縮檢測數(shù)據(jù)與本工作計算結(jié)果的對比。文獻(xiàn)[17]根據(jù)Dp為5和10 mm時局部橫向疇與應(yīng)力封閉疇體積分?jǐn)?shù)的統(tǒng)計結(jié)果，計算得到磁致伸縮系數(shù)分別為0.33×10-6和1.25×10-6 [17]。采用本工作模型進(jìn)行計算(Dp=2~10 mm，D2=0.1 mm)，得到無刻痕條件下磁致伸縮系數(shù)為0.51×10-6，刻痕線間距為10和5 mm時的磁致伸縮系數(shù)分別為0.29×10-6和0.85×10-6。該計算結(jié)果與實測結(jié)果基本吻合，表明本工作提出的考慮了刻痕對橫向疇影響的計算模型，可比較準(zhǔn)確地描述磁疇結(jié)構(gòu)與磁致伸縮系數(shù)的定量關(guān)系。

表1   刻痕間距變化時取向硅鋼磁致伸縮系數(shù)的計算結(jié)果與實驗數(shù)據(jù)對比

Table 1  The comparison of measured and calculated magnetostriction coefficients vs laser-scribing spacing

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3 分析討論

激光刻痕取向硅鋼的磁致伸縮，來源于刻痕區(qū)殘余壓應(yīng)力形成的封閉疇和取向偏差角β產(chǎn)生的橫向疇。在不考慮刻痕與取向偏差角交互作用時，應(yīng)力封閉疇和橫向疇引起的磁致伸縮系數(shù)之和，與實測值存在明顯差距。事實上，刻痕參數(shù)改變殘余應(yīng)力，進(jìn)而影響刻痕區(qū)的局部封閉疇結(jié)構(gòu)。同時，刻痕區(qū)的局部封閉疇和雜散磁場，也影響取向偏差角產(chǎn)生的橫向疇數(shù)量。Ea提高，一方面增加了刻痕影響區(qū)封閉疇數(shù)量，另一方面通過刻痕影響區(qū)雜散磁場減少取向偏差產(chǎn)生的橫向疇數(shù)量。本模型引入刻痕影響區(qū)封閉疇能量和雜散磁場能對橫向疇特征的影響，使其可以表征刻痕參數(shù)與取向偏差角交互作用下的磁致伸縮系數(shù)。磁致伸縮系數(shù)隨Ea增大呈現(xiàn)出先降低后提高的計算結(jié)果，與實測相吻合，表明該模型能夠準(zhǔn)確描述磁疇結(jié)構(gòu)交互作用下取向硅鋼磁致伸縮系數(shù)的變化規(guī)律。

β決定了刻痕條件下哪種90°磁疇結(jié)構(gòu)對磁致伸縮系數(shù)起決定作用。β<3°時，刻痕區(qū)形成的應(yīng)力封閉疇數(shù)量主導(dǎo)磁致伸縮系數(shù)，刻痕參數(shù)對橫向疇數(shù)量影響小；β≥3°時，橫向疇數(shù)量主導(dǎo)磁致伸縮系數(shù)，合適的刻痕參數(shù)可有效降低橫向疇數(shù)量。對于刻痕間距，低偏差角取向硅鋼的磁致伸縮系數(shù)隨刻痕間距減小而增大，較高偏差角取向硅鋼的磁致伸縮系數(shù)隨刻痕間距減小體現(xiàn)為先降低后提高。因此，刻痕參數(shù)對磁致伸縮系數(shù)的影響，是橫向疇減少與應(yīng)力封閉疇增加的綜合效應(yīng)。對于低噪音要求的激光刻痕取向硅鋼，需針對取向硅鋼的β分布情況精細(xì)優(yōu)化刻痕參數(shù)。

4 結(jié)論

(1) 基于激光刻痕參數(shù)和取向偏差角對應(yīng)力封閉疇與橫向疇2種90°磁疇結(jié)構(gòu)的影響，提出反映刻痕參數(shù)與取向偏差角交互作用的磁疇結(jié)構(gòu)和磁致伸縮系數(shù)計算模型，可準(zhǔn)確描述激光刻痕條件下取向硅鋼的磁致伸縮行為。

(2) 刻痕參數(shù)對磁致伸縮系數(shù)的影響體現(xiàn)為橫向疇減少與應(yīng)力封閉疇增加的綜合效應(yīng)。取向偏差角決定了激光刻痕條件下磁致伸縮系數(shù)是由橫向疇還是應(yīng)力封閉疇主導(dǎo)。隨取向偏差角增大，磁致伸縮系數(shù)隨刻痕間距減小的變化規(guī)律由單調(diào)提高轉(zhuǎn)變?yōu)橄冉档秃筇岣摺?

來源--金屬學(xué)報