稀土-過渡金屬(RE-TM)非晶薄膜具有獨(dú)特的磁、光、電等性質(zhì)，在電子、信息、能源等諸多領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。提高非晶薄膜的垂直磁各向異性(PMA)，對(duì)于實(shí)現(xiàn)基于自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的磁隨機(jī)存儲(chǔ)器[1,2,3,4]、磁光波導(dǎo)隔離器[5,6,7]、高頻微電子器件[8]等各類磁性元器件的高性能化起到關(guān)鍵作用。自1973年在RE-TM非晶薄膜中發(fā)現(xiàn)PMA以來[9]，人們對(duì)其物理機(jī)制進(jìn)行了廣泛研究。然而，由于缺乏晶態(tài)薄膜的磁晶各向異性，非晶態(tài)薄膜的PMA起源更為復(fù)雜。目前，已經(jīng)提出了多種物理機(jī)制，例如，單離子各向異性[10]、表面偶極子效應(yīng)[11]、原子對(duì)有序化[12]、隨機(jī)磁各向異性[13,14,15]、微應(yīng)力[5,16]及柱狀微結(jié)構(gòu)[17,18]等。因此，無論從技術(shù)應(yīng)用還是基礎(chǔ)研究角度看，都有必要對(duì)RE-TM非晶薄膜的制備工藝與PMA間的關(guān)聯(lián)性做進(jìn)一步研究。

以往對(duì)RE-TM非晶薄膜PMA的研究主要集中在含重稀土的(Tb, Dy)-FeCo合金系統(tǒng)。相對(duì)于重稀土-過渡族金屬合金而言，含輕稀土的非晶薄膜，如(Nd, Pr)-FeCo合金，在激光器的藍(lán)光短波段具有更顯著的磁光Kerr效應(yīng)[6]。因此，具有強(qiáng)PMA特性的輕稀土-過渡族金屬薄膜將具有更為廣泛的磁光應(yīng)用前景[7]。Cid等[14]采用只對(duì)過渡金屬中3d電子敏感的橫向磁光Kerr效應(yīng)，研究了NdCo5非晶薄膜中Co位原子對(duì)磁各向異性的貢獻(xiàn)。他們發(fā)現(xiàn)非晶NdCo5薄膜的室溫垂直磁各向異性能高達(dá)2×105 J/m3，該值與晶態(tài)NdCo5的室溫磁各向異性能6.3×105 J/m3相近。并認(rèn)為這是在薄膜沉積過程中，Co和Nd局部原子環(huán)境的不對(duì)稱所致。近期，本課題組[19,20]研究了基底溫度與濺射氣壓等制膜工藝參量對(duì)Si(111)/Nd41Fe40Co19/Cr薄膜PMA特性的影響，發(fā)現(xiàn)薄膜與襯底間的界面應(yīng)力，以及濺射氣壓誘導(dǎo)的微應(yīng)力所導(dǎo)致的磁彈各向異性，是產(chǎn)生非晶薄膜PMA的主要原因。然而，關(guān)于Nd成分對(duì)NdCo非晶薄膜PMA特性和磁疇結(jié)構(gòu)的影響，以及快速退火工藝對(duì)不同Nd含量NdCo合金薄膜相結(jié)構(gòu)與磁性影響規(guī)律的系統(tǒng)研究還鮮見報(bào)道。

快速熱退火(RTA)工藝的最大特點(diǎn)是它的高加熱和冷卻速率，這是采用傳統(tǒng)退火爐方法無法達(dá)到的。RTA工藝在精確控制參雜含量、提高異質(zhì)結(jié)界面質(zhì)量以及修復(fù)缺陷等方面具有突出技術(shù)優(yōu)勢(shì)，被廣泛用于半導(dǎo)體工業(yè)。近年來，RTA技術(shù)越來越多地應(yīng)用于高性能磁性材料，特別是薄膜材料的加工和制備[19,20]。本工作通過磁控濺射方法，在Si(111)襯底上制備了Si(111)/Cr(10 nm)/NdCox(400 nm)/Cr(10 nm)系列合金薄膜，其中，Co/Nd原子比的變化范圍為：x=2.5~7.2。采用X-射線衍射儀(XRD)、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)、原子力與磁力顯微鏡(AFM/MFM)、振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)等對(duì)樣品的磁疇結(jié)構(gòu)和磁性進(jìn)行表征，結(jié)合高真空RTA工藝，系統(tǒng)研究Nd成分對(duì)制備態(tài)Nd-Co非晶薄膜的PMA特性與磁疇結(jié)構(gòu)以及退火態(tài)薄膜的相結(jié)構(gòu)與磁性的影響規(guī)律。

薄膜樣品采用JGP-600型多靶多功能磁控濺射設(shè)備制備。在水冷卻的Si(111)基底上制備結(jié)構(gòu)為Si(111)/Cr(10 nm)/NdCox(400 nm)/Cr(10 nm)系列薄膜，其中Co/Nd原子比為x=2.5~7.2。為了防止樣品被氧化，避免襯底對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和磁性的影響，在Si(111)襯底及薄膜表面分別添加了10 nm厚的Cr緩沖層和保護(hù)層。實(shí)驗(yàn)用NdCo復(fù)合靶材由高純Co靶和置于其上的高純Nd片組成，NdCo合金薄膜的成分通過改變復(fù)合靶材上Nd片數(shù)量控制。其中，Nd片規(guī)格為5 mm×5 mm×2 mm；Co和Cr靶直徑50.8 mm，厚度2 mm，純度均在99.95%以上。濺射系統(tǒng)的背景真空度優(yōu)于2.0×10-5 Pa。NdCo復(fù)合靶采用直流電源控制，濺射Ar氣壓為0.1 Pa；Cr靶采用射頻磁控電源控制濺射，濺射Ar氣壓保持在0.3 Pa。為防止Nd的氧化，濺射前先預(yù)濺射20~30 min。薄膜厚度通過沉積速率和沉積時(shí)間由計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制。沉積速率通過單層厚膜的沉積時(shí)間和厚度來確定。單層厚膜的膜厚采用6JA型雙光束干涉顯微鏡測(cè)定，并由原子力顯微鏡校正。退火態(tài)薄膜的RTA工藝在高真空RTA-500快速退火設(shè)備中進(jìn)行，系統(tǒng)真空度優(yōu)于5.0×10-4 Pa。

薄膜樣品的晶體結(jié)構(gòu)及合金成分分別采用D8 XRD、Nova NanoSEM 430 FE-SEM以及附帶的能譜儀(EDS)測(cè)定。采用Easyscan2 AFM/MFM表征薄膜的形貌和磁疇結(jié)構(gòu)。采用HH-15 VSM表征薄膜的基本磁性。所有測(cè)量均在室溫下進(jìn)行。

圖1是制備態(tài)Si(111)/Cr(10 nm)/NdCox(400 nm)/Cr(10 nm)薄膜的XRD譜。XRD譜只顯示出源于Si(111)基底的衍射峰，沒有觀察到Nd、Co及其合金的衍射峰。表明沉積的薄膜呈非晶(或納米晶)結(jié)構(gòu)。隨著薄膜中Nd (Co)含量的減小(增加)，Si(111)主峰及其伴隨的干涉衛(wèi)星峰(分別標(biāo)注為-1、-2和+1級(jí))，Si(222)高次衍射峰的強(qiáng)度增強(qiáng)。這是因?yàn)閄射線在金屬Co中的穿透深度比在Nd中的大，導(dǎo)致源于Si(111)基底的衍射峰強(qiáng)度隨Co含量的增加而增強(qiáng)。

圖2顯示了4種典型Si(111)/Cr(10 nm)/NdCox(400 nm)/Cr(10 nm)薄膜樣品的面內(nèi)與法向的磁滯回線。由于薄膜的形狀各向異性占主導(dǎo)作用，所有樣品均呈現(xiàn)出面內(nèi)各向異性。并且，面內(nèi)磁滯回線形狀敏感地依賴于Co/Nd原子比。對(duì)于x=2.5樣品，面內(nèi)回線的矯頑力(Hc-in約為2kA/m)較低，表現(xiàn)出非晶軟磁的特征，其較高的剩磁比(Mr/Ms約為0.9，其中，Mr為剩磁，Ms為飽和磁化強(qiáng)度)意味著薄膜的平均磁矩以平行于膜面為主。隨著x的增大，剩磁比降低，面內(nèi)回線呈現(xiàn)出明顯的“S”型“跨臨界磁滯回線”的特征[17,18,19,20,21]，即從剩磁到飽和磁化過程中，磁化強(qiáng)度呈現(xiàn)出線性增強(qiáng)的磁化行為，如圖2c所示。具有這種特征回線的非晶薄膜常被認(rèn)為與PMA相關(guān)。

圖3a顯示了薄膜樣品的飽和磁化強(qiáng)度和面內(nèi)飽和磁化場(chǎng)(Hs-in)隨x的變化關(guān)系。結(jié)果表明，隨著x的增大，Ms幾乎單調(diào)增強(qiáng)，這與文獻(xiàn)[6]報(bào)道的結(jié)果相一致；而Hs-in則先隨x的增加而增大，在x=5.2附近達(dá)到峰值之后則略有降低。具有PMA薄膜的單軸磁各向異性常數(shù)(Ku)可以表示為[17,18,19,20,23]：

式中，μ0為真空磁導(dǎo)率，Hk為磁各向異性場(chǎng)。通常Hk可以近似地由Hs-in確定[24]。由式(1)可以估算出x=5.2時(shí)，薄膜的垂直磁各向異性能為Ku=(80±5) kJ/m3。該值約為Cid等[14,15]報(bào)道的NdCo5非晶薄膜垂直各向異性能(約180 kJ/m3)的一半。其差別可能源于薄膜制備工藝參數(shù)及表征技術(shù)的差異所致。此外，最大質(zhì)量因子Q (定義為垂直磁各向異性能與退磁能的比值Q=2Ku/(μ0Ms2))約為0.2。該值比其它非晶薄膜，如(Fe10Co90)17Nd2 (Q≈0.07)[17]、Fe45Co45Nb10B (Q≈0.01)[18]、Fe78B13Si9 (Q≈0.02~0.04)[23]等非晶薄膜的Q均高。

為了更深入理解非晶薄膜的PMA起源，本工作通過測(cè)定面內(nèi)與法向的磁滯回線，即磁化強(qiáng)度(M)與磁場(chǎng)強(qiáng)度(H)所包圍的面積，定量確定樣品的有效各向異性能(Keff)[25,26]。圖3b顯示了制備態(tài)薄膜的Keff隨x的變化規(guī)律。理論上，薄膜的Keff可唯象表述為[25,26,27]：

式中，Kc、Kd、Kme分別表示磁晶各向異性能、形狀各向異性能和磁彈性各向異性能，t為鐵磁層厚度，Ks表示Néel表面各向異性能。薄膜的形狀各向異性能為Kd=(1/2)μ0NDMs2，其中，ND為退磁因子。假設(shè)ND=1，可以推算出Kd值，如圖3b所示?？紤]到制備態(tài)非晶薄膜的軟磁特性，磁晶各向異性可以忽略不計(jì)。鑒于界面和表面各向異性僅對(duì)幾個(gè)原子層厚的磁性層有顯著的貢獻(xiàn)[27]，在本工作制備的磁性層厚度約為t=400 nm的薄膜中，界面和表面各向異性項(xiàng)2Ks/t也可以忽略不計(jì)。根據(jù)式(2)，以及所確定的Kd和Keff值，可得到磁彈性各向異性Kme的大小，如圖3b所示。結(jié)果表明，Kme隨著x的增加而增強(qiáng)，在x=5.2達(dá)到最大值后，則略有降低。在Nd-Co非晶合金中，Co磁矩基本上是共線的，而非S態(tài)稀土Nd原子具有強(qiáng)局域磁各向異性，在自旋軌道耦合和單離子晶體場(chǎng)的共同作用下，Nd原子磁矩的取向分布在一定大小的立體角錐體中，其錘軸指向Co磁矩方向，從而形成散鐵磁性(asperomagnetism)磁結(jié)構(gòu)[6,28]。Co/Nd成分的變化將導(dǎo)致Nd磁矩分布的立體角大小的改變，進(jìn)而導(dǎo)致薄膜內(nèi)微應(yīng)力和PMA的相應(yīng)變化。這里發(fā)現(xiàn)的磁彈性各向異性能Kme隨Nd成分的變化關(guān)系可以理解為：對(duì)于x≤5.2的薄膜樣品，Nd-Co非晶的Curie溫度(Tc)隨Nd含量增加而急劇下降，從而導(dǎo)致室溫Kme的快速降低；而當(dāng)Nd含量低于臨界成分(x≈5.2)時(shí)，單離子晶體場(chǎng)相互作用對(duì)Nd-Co非晶薄膜PMA的貢獻(xiàn)隨之減小，從而導(dǎo)致x≥5.2薄膜樣品的Kme隨x的增加反而降低[6]。

AFM/MFM由于其分辨率高(垂直分辨率達(dá)0.1 nm，橫向在0.1~5.0 nm)而成為探測(cè)鐵磁薄膜微磁結(jié)構(gòu)的有效工具[19,20,21,22,23,24,29]。圖4a~d分別顯示了x=2.5、3.8、5.2、7.2薄膜在剩磁態(tài)下測(cè)定的典型MFM像，掃描范圍均為10 μm×10 μm。結(jié)果顯示，x=2.5薄膜樣品的磁力圖呈現(xiàn)出近乎均勻分布的磁力色差，看不到明顯的磁疇特征，表明薄膜樣品的平均磁矩方向是平行于薄膜平面的。在x=3.8樣品的MFM像上開始隱約呈現(xiàn)出明暗相間的條紋疇結(jié)構(gòu)。繼續(xù)增加至x=5.2時(shí)，磁力圖的條紋疇更加清晰，磁力色差對(duì)比度明顯增強(qiáng)。而x=7.2時(shí)，明暗條紋依然可見，但色差對(duì)比度有所降低。

條紋疇的發(fā)現(xiàn)被認(rèn)為是鐵磁性薄膜具有PMA特性的直接證據(jù)，條紋疇方向是由于樣品在外磁場(chǎng)的前一次面內(nèi)飽和磁化期間誘導(dǎo)的磁化方向[20,21,22,23,24]。一般而言，對(duì)于在相同色差標(biāo)尺下測(cè)定的磁力圖，明暗條紋的色差對(duì)比度越大，磁力圖像的相移均方根偏差(??rms)也越大。圖5為制備態(tài)薄膜在同一色差標(biāo)尺和相同掃描范圍(10 μm×10 μm)內(nèi)測(cè)定的??rms隨x的變化曲線。為了對(duì)比，圖中也給出了由式(1)得到的Ku數(shù)據(jù)，這里得到的Ku隨x的變化曲線與文獻(xiàn)[6,30]報(bào)道結(jié)果相一致。由圖可見，由MFM測(cè)定的??rms-x變化曲線，與采用VSM測(cè)定的Ku-x變化趨勢(shì)基本一致，兩者在臨界成分x=5.2處都存在最大值。其實(shí)，由MFM像測(cè)定的??rms的大小，正比于樣品表面磁場(chǎng)梯度，即雜散場(chǎng)的垂直z分量的平均值。其大小通常與Ms相關(guān)[24]。因此，由MFM像測(cè)定的??rms可以間接地反映垂直磁化薄膜的PMA特性，從而進(jìn)一步驗(yàn)證了PMA隨x的變化規(guī)律。

圖6是x=2.5和5.2制備態(tài)薄膜的AFM和MFM像，掃描范圍為20 μm×20 μm。從圖6c和d的AFM像可見，制備態(tài)樣品表面均存在一定的高低起伏，測(cè)得的薄膜表面粗糙度(定義為相對(duì)名義高度偏距的均方根Sq)在Sq=0.40~1.48 nm之間。由圖6a和b的MFM像可見，樣品的磁力色差對(duì)比度以及條紋寬度在薄膜內(nèi)均存在一定的波動(dòng)。圖7為x=2.5和5.2樣品的SEM-EDS圖，掃描面積范圍均為40 μm×40 μm?？梢钥闯?，樣品中Co和Nd元素在膜面內(nèi)的分布也都是均勻的。如前文所述，非晶薄膜的PMA主要源于薄膜應(yīng)力導(dǎo)致的磁彈各向異性。薄膜應(yīng)力主要包括非S態(tài)稀土原子的強(qiáng)局域磁各向異性產(chǎn)生的薄膜微應(yīng)力以及界面/表面粗糙度引起的薄膜宏觀(或在微米級(jí)尺度上的介觀)應(yīng)力。其中，稀土原子的局域原子結(jié)構(gòu)和高非球面4f電荷分布的存在，是導(dǎo)致薄膜PMA并出現(xiàn)條紋疇磁結(jié)構(gòu)的主要原因[6]。薄膜界面/表面粗糙度引起的宏觀應(yīng)力，又對(duì)薄膜局域微磁結(jié)構(gòu)起到一定的調(diào)制作用。根據(jù)Landau的磁疇結(jié)構(gòu)理論[22]，條紋疇寬度(w)可表示為[22,23]：

式中，A是合金的交換剛度常數(shù)。由式(3)可知，對(duì)于Co和Nd原子均勻分布的Nd-Co非晶薄膜，界面/表面粗糙度引起了鐵磁薄膜厚度t在微米介觀尺度上的起伏波動(dòng)，從而導(dǎo)致條紋疇寬度及磁力色差對(duì)比度在介觀尺度上的相應(yīng)波動(dòng)，如圖6所示。

薄膜中存在的微應(yīng)力可以通過退火實(shí)驗(yàn)得到進(jìn)一步的驗(yàn)證。圖8為制備態(tài)Si(111)/Cr(10 nm)/NdCo5.2(400 nm)/Cr(10 nm)薄膜經(jīng)過不同退火溫度真空退火40 min后測(cè)定的面內(nèi)磁滯回線。由圖可見，隨著退火溫度逐漸升高，Hs-in逐漸降低，同時(shí)伴隨著Hc-in降低、Mr/Ms逐漸回升。當(dāng)退火溫度升至500 ℃時(shí)，面內(nèi)矯頑力降為最低，PMA基本消失。這主要是由于退火過程導(dǎo)致非晶態(tài)薄膜中微應(yīng)力得到逐步地釋放，導(dǎo)致原子弛豫或局域磁性原子短程序的變化所致。當(dāng)退火溫度繼續(xù)升高到600 ℃，Hc-in略有上升。這主要是非晶態(tài)薄膜開始結(jié)晶所致(詳見后文)。

為了進(jìn)一步研究Nd含量對(duì)濺射Nd-Co薄膜相結(jié)構(gòu)與磁性的影響，對(duì)所有樣品進(jìn)行了真空RTA處理。圖9是Si(111)/Cr(10 nm)/NdCox(400 nm)/Cr(10 nm)薄膜在600 ℃退火30 min后的XRD譜。退火態(tài)薄膜中可能析出的物相及其XRD反射晶面也標(biāo)注在圖9中。結(jié)果顯示，所有樣品均析出了Nd2Co17、Nd4Co3、NdCo2等物相。此外，在Nd元素實(shí)際含量比NdCo5相標(biāo)稱值過量的薄膜(x=2.5和3.8)中，還觀測(cè)到了NdCo5和Nd2Co7相納米晶的衍射峰。其中，NdCo5相納米晶的衍射峰譜與采用高能球磨制備的NdCo5片狀納米粉末的XRD譜[31]相類似。根據(jù)Scherrer公式和(111)衍射峰估算出NdCo5納米晶的平均晶粒尺寸為8.6 nm。還發(fā)現(xiàn)，NdCo5和Nd2Co7相納米晶?？偸窍喟槲龀觯@與Seifert等[32]采用脈沖激光沉積技術(shù)，并采用Cr為緩沖層和覆蓋層，在MgO(110)襯底上外延制備的NdCo5±x單晶體薄膜的結(jié)果相一致。但他們后來采用Al2O3(001)基底，并采用Ru緩沖層和Cr覆蓋層后卻沒有觀測(cè)到伴生相Nd2Co7納米晶的析出[33]。這表明Nd2Co7共生相的析出與采用Cr緩沖層有關(guān)。二元化合物Nd2Co7具有六方晶系Ce2Ni7型晶體結(jié)構(gòu)，其空間群為p63/mmc。Nd2Co7相是由2層Laves相NdCo2和2層CaCu5型NdCo5子塊沿c軸方向交替堆疊而成，它在Nd-Co體系中是熱力學(xué)穩(wěn)定相[34,35]。值得指出的是，在x=2.5和3.8樣品中觀測(cè)到的金屬間化合物Nd2Co17、NdCo5、Nd2Co7、NdCo2、Nd4Co3等物相，均為Liu等[35]理論計(jì)算相圖所預(yù)測(cè)的熱力學(xué)穩(wěn)定相。但在x≥4.4的薄膜樣品中，并未觀測(cè)到明顯的NdCo5和Nd2Co7相衍射峰。這表明薄膜中Nd的實(shí)際含量比NdCo5相的標(biāo)稱值過量(至少4%，原子分?jǐn)?shù))時(shí)，才有利于NdCo5和Nd2Co7相晶粒的析出。

上述XRD結(jié)果可由磁性測(cè)量數(shù)據(jù)得到進(jìn)一步佐證。圖10為在600 ℃經(jīng)RTA后4種典型合金成分薄膜Si(111)/Cr(10 nm)/NdCox(400 nm)/Cr(10 nm)的面內(nèi)與法向磁滯回線。圖11為退火態(tài)樣品的Hc-in隨x的變化關(guān)系。結(jié)果表明，NdCo5和Nd2Co7相納米晶的析出導(dǎo)致了退火態(tài)薄膜Hc-in的顯著增強(qiáng)，而x≥4.4的退火態(tài)薄膜的Hc-in卻顯示較低值。在所觀測(cè)到的金屬間化合物Nd2Co17、NdCo5、Nd2Co7、NdCo2、Nd4Co3等物相中，只有前3種在室溫下才具有鐵磁性[35]。注意到，x=2.5樣品的面內(nèi)磁滯回線出現(xiàn)臺(tái)階現(xiàn)象，而x=3.8樣品的面內(nèi)M-H磁滯回線則沒有。這可能是由于x=2.5樣品中不僅析出了NdCo5相納米晶，同時(shí)還存在成分偏離1∶5化學(xué)計(jì)量比的NdCo5±x相納米晶粒。因?yàn)椋瑹o論是貧Co還是富Co的NdCo5±x相化合物，其單軸磁各向異性能都要比具有完全化學(xué)計(jì)量比的NdCo5相晶體要低[32]。與x=2.5樣品相比，x=3.8樣品的面內(nèi)矯頑力有所降低。這可能是由于該樣品析出的主要是富Co的NdCo5+x相納米晶。在x≥4.4的薄膜中，室溫下因只有Nd2Co17或Co相具有鐵磁性，樣品的室溫矯頑力Hc-in呈現(xiàn)較低值。

(1) 采用磁控濺射技術(shù)制備了Si(111)/Cr(10 nm)/NdCox(400 nm)/Cr(10 nm)系列薄膜。隨著x的增加，制備態(tài)薄膜的飽和磁化強(qiáng)度Ms單調(diào)增強(qiáng)；而垂直磁各向異性能的Ku-x關(guān)系曲線在x=5.2附近卻存在一較寬的峰，峰值處Ku=(80±5) kJ/m3。由MFM表征的??rms-x關(guān)系曲線，也與Ku-x的變化趨勢(shì)基本一致，進(jìn)一步驗(yàn)證了PMA隨Nd成分的變化規(guī)律。

(2) 稀土原子的單離子各向異性所產(chǎn)生的薄膜微應(yīng)力，以及界面/表面粗糙度引起的應(yīng)力，是導(dǎo)致條紋疇寬度及磁力色差對(duì)比度在薄膜表面微米介觀尺度上波動(dòng)的主要原因。

(3) 經(jīng)過600 ℃真空快速退火后，所有薄膜均析出了Co17Nd2、Co2Nd、Co3Nd4等金屬間化合物，而NdCo5±x相納米晶只在Nd過量(至少4%，原子分?jǐn)?shù))的x=2.5和3.8的薄膜中才被觀測(cè)到，同時(shí)還伴隨著Nd2Co7共生相的析出。

(4) 室溫磁性測(cè)量表明，NdCo5±x和Nd2Co7相納米晶的析出，導(dǎo)致x=2.5和3.8薄膜面內(nèi)矯頑力(分別為Hc-in=54和51 kA/m)顯著增強(qiáng)；而在x≥4.4薄膜樣品的面內(nèi)矯頑力(Hc-in=4~8 kA/m)保持在低值區(qū)間。