分享:SEBM成形片狀極小曲面點(diǎn)陣材料的力學(xué)性能
以球形Ti-6Al-4V合金粉末為原料,采用電子束選區(qū)熔化(selective electron beam melting,SEBM)技術(shù)制備了片狀三周期極小曲面(triply periodic minimal surface,TPMS)點(diǎn)陣材料以及桁架點(diǎn)陣材料,研究了點(diǎn)陣材料的成形質(zhì)量、顯微組織及壓縮性能。成形結(jié)果表明,SEBM成形片狀TPMS和桁架點(diǎn)陣材料尺寸精度在電子束束斑直徑范圍之內(nèi),與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)(computer aided design,CAD)模型具有較好的幾何一致性;SEBM成形Ti-6Al-4V點(diǎn)陣材料的微觀組織為原始粗大β柱狀晶,晶內(nèi)為細(xì)小正交的α'馬氏體組織以及細(xì)小α + β組織;TPMS點(diǎn)陣材料較桁架點(diǎn)陣材料表現(xiàn)出優(yōu)越的力學(xué)性能,其中,金剛石(D)型點(diǎn)陣材料在TPMS點(diǎn)陣材料中具有最高的壓縮強(qiáng)度,其比抗壓強(qiáng)度可達(dá)146.9 MPa/(g·cm-3),遠(yuǎn)高于相同相對(duì)密度下桁架點(diǎn)陣材料的最高比抗壓強(qiáng)度119.6 MPa/(g·cm-3)。
關(guān)鍵詞:
高孔隙率鈦合金點(diǎn)陣材料具有比強(qiáng)度高、質(zhì)量輕的特點(diǎn),在航空、航天、生物醫(yī)療等領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用潛力。在過(guò)去的十幾年里,人們對(duì)不同結(jié)構(gòu)類(lèi)型的鈦合金點(diǎn)陣材料進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)分析,如立方、十二面體、菱形、G7等點(diǎn)陣材料,旨在設(shè)計(jì)更輕、更強(qiáng)的點(diǎn)陣材料[1]。但這類(lèi)結(jié)構(gòu)都是基于桁架結(jié)構(gòu)建立的點(diǎn)陣材料,這種材料應(yīng)力集中嚴(yán)重且穩(wěn)定性差,應(yīng)用受限。近幾年,一種新型曲面結(jié)構(gòu)引起了研究人員的關(guān)注,這類(lèi)曲面結(jié)構(gòu)為三周期極小曲面(triply periodic minimal surface,TPMS)結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)是滿(mǎn)足一定的約束條件(如邊界一定或容納體積滿(mǎn)足一定條件)下表面積最小、可在三維空間上無(wú)限延伸的曲面[2,3],如金剛石(diamond,D)、螺旋二十四面體(gyroid,G)、包裹(I-wrapped package,I)、簡(jiǎn)單(primitive,P) TPMS結(jié)構(gòu)。TPMS做為一種數(shù)學(xué)方法定義的曲面,在孔隙尺寸、孔隙形狀、內(nèi)通道連通性和體積分?jǐn)?shù)等方面提供了一種高效、簡(jiǎn)便、準(zhǔn)確的設(shè)計(jì)方法,具有幾何連續(xù)性和拓?fù)涔饣缘奶卣鳎@樣的曲面能量穩(wěn)定、勢(shì)能最小,與傳統(tǒng)的桿連接桁架結(jié)構(gòu)相比,無(wú)節(jié)點(diǎn)以及不連續(xù)點(diǎn),將應(yīng)力集中的影響最小化,結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性好[4,5]。TPMS點(diǎn)陣材料有望取代傳統(tǒng)桁架結(jié)構(gòu)點(diǎn)陣材料,為多功能應(yīng)用領(lǐng)域提供更多選擇。
近年來(lái),TPMS結(jié)構(gòu)逐漸被引入到生物醫(yī)療植入體的設(shè)計(jì)中。Yánez等[6,7]、Ataee等[8]分析了電子束選區(qū)熔化技術(shù)(selective electron beam melting,SEBM)成形Ti-6Al-4V骨骼狀TPMS點(diǎn)陣材料的力學(xué)性能,其彈性模量為59~1060 MPa,抗壓強(qiáng)度為21.3~86.6 MPa,比強(qiáng)度最高達(dá)到88.6 MPa/(g·cm-3),而骨小梁的彈性模量范圍為0.3~3000 MPa,抗壓強(qiáng)度為0.88~10.60 MPa[1],TPMS點(diǎn)陣材料很大程度上模擬了骨小梁的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、力學(xué)特性。Challis等[9]、Yan等[10,11]和Kadkhodapour等[12]通過(guò)選區(qū)激光熔化(selective laser melting,SLM)技術(shù)制備了Ti-6Al-4V骨骼狀TPMS點(diǎn)陣材料,彈性模量為120~2809 MPa,抗壓強(qiáng)度為4.7~114.7 MPa,最大比強(qiáng)度為91.8 MPa/(g·cm-3),有望成為可用的骨替代品。另外,Bobbert等[13]對(duì)SLM成形片狀TPMS生物材料的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、準(zhǔn)靜態(tài)力學(xué)性能進(jìn)行了表征,其比抗壓強(qiáng)度(抗壓強(qiáng)度/密度)高達(dá)165.2 MPa/(g·cm-3),顯著高于骨骼狀TPMS點(diǎn)陣材料,闡述了片狀TPMS的應(yīng)用潛力,這將為設(shè)計(jì)更強(qiáng)、更輕的點(diǎn)陣材料指明方向。
點(diǎn)陣材料結(jié)構(gòu)復(fù)雜,單元胞數(shù)量眾多,傳統(tǒng)制造方法難以成形。近年來(lái)蓬勃發(fā)展的增材制造技術(shù),使得結(jié)構(gòu)復(fù)雜、包含大量單元胞數(shù)量的點(diǎn)陣材料得以快速、精確制造,促進(jìn)了點(diǎn)陣材料的發(fā)展[14]。SLM、SEBM是目前3D打印金屬點(diǎn)陣材料的主要手段[15,16],為曲面型點(diǎn)陣材料的成形提供了便利。
本工作通過(guò)SEBM技術(shù)成形片狀TPMS以及桁架點(diǎn)陣材料,研究SEBM點(diǎn)陣材料的成形質(zhì)量,對(duì)比片狀TPMS與傳統(tǒng)桁架點(diǎn)陣材料的壓縮性能,獲得更輕、更強(qiáng)的點(diǎn)陣材料,為航空、航天、生物醫(yī)療等應(yīng)用領(lǐng)域提供潛在候選材料。
1 實(shí)驗(yàn)方法
1.1 材料與制備方法
采用粒徑為45~105 μm的球形Ti-6Al-4V粉末為原料[17],通過(guò)Arcam A2電子束快速成型機(jī)結(jié)合SEBM技術(shù)制備點(diǎn)陣材料。打印層厚為50 μm,束斑直徑為200 μm,底板預(yù)熱溫度為730℃。
1.2 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
桁架點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)選擇典型拉伸主導(dǎo)的桁架結(jié)構(gòu)八面體(octet-truss,O)以及彎曲主導(dǎo)的十四面體(tetrakaidecahedron,T)結(jié)構(gòu),如圖1a和b所示;TPMS結(jié)構(gòu)種類(lèi)較多,但點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)要滿(mǎn)足內(nèi)部連通、曲面連續(xù)不間斷等結(jié)構(gòu)要求,同時(shí)要滿(mǎn)足孔隙大、易于出粉等制備要求,因此本工作選擇孔隙較大、內(nèi)部連通且結(jié)構(gòu)各異的D、G、I、P片狀TPMS結(jié)構(gòu),如圖1c~f所示。4種TPMS結(jié)構(gòu)都為平滑、連續(xù)的曲面結(jié)構(gòu),較桁架結(jié)構(gòu)無(wú)節(jié)點(diǎn)以及直角邊。4種TPMS結(jié)構(gòu)平均曲率都為0,但是最大曲率半徑不同(彎曲程度不同),比表面積(表面積/體積)不同(D、G、I和P比表面積分別為0.48、0.39、0.42和0.29 mm-1),而這些結(jié)構(gòu)差異會(huì)帶來(lái)性能差異。
圖1
圖1 結(jié)構(gòu)單胞圖
(a) octet-truss (O) (b) tetrakaidecahedron (T)
(c) diamond (D) (d) gyroid (G) (e) I-wrapped package (I) (f) primitive (P)
Fig.1 Cells of different structures (O and T are strut-based structures while D, G, I, and P are shell-based triply periodic minimal surface (TPMS) structures)
八面體、十四面體點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)通過(guò)Solidworks來(lái)設(shè)計(jì),結(jié)構(gòu)尺寸為50 mm × 50 mm × 50 mm,體積分?jǐn)?shù)范圍為0.13~0.35;D、G、I、P TPMS點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)分別通過(guò)式(
1.3 性能檢測(cè)
打印完成后,分別測(cè)量樣品的重量以及體積,并根據(jù)下式計(jì)算相對(duì)密度
式中,m為點(diǎn)陣材料實(shí)際質(zhì)量;v為點(diǎn)陣材料的表觀體積;ρ0為T(mén)i-6Al-4V實(shí)體的密度,取4.43 g/cm3。
使用JSM-6700掃描電鏡(SEM)觀察SEBM成形點(diǎn)陣材料的微觀結(jié)構(gòu),根據(jù)樣品的SEM像測(cè)量樣品的桿直徑、片厚度。使用Axio vert A1 Stemi2000金相顯微鏡(OM)觀察SEBM成形樣品的顯微組織。
采用WEW-600萬(wàn)能試驗(yàn)機(jī)測(cè)試試樣壓縮性能,壓縮速率為3 mm/min,壓縮過(guò)程無(wú)引伸計(jì),壓縮后獲得應(yīng)力-應(yīng)變曲線(xiàn)。基于ISO13314-2011標(biāo)準(zhǔn)在應(yīng)力-應(yīng)變曲線(xiàn)上獲取性能參數(shù),彈性模量取線(xiàn)性段斜率,屈服強(qiáng)度取材料發(fā)生0.2%應(yīng)變時(shí)對(duì)應(yīng)的應(yīng)力;抗壓強(qiáng)度對(duì)應(yīng)應(yīng)力-應(yīng)變曲線(xiàn)第一個(gè)極限應(yīng)力值;另外,提取應(yīng)力-應(yīng)變曲線(xiàn)上第一極限應(yīng)力值對(duì)應(yīng)的應(yīng)變?yōu)閴嚎s應(yīng)變,用以表征材料的塑性。
2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
2.1 SEBM成形點(diǎn)陣材料成形質(zhì)量
圖2為SEBM成形Ti-6Al-4V點(diǎn)陣材料宏觀形貌。可以看出,經(jīng)SEBM成形的樣品孔隙內(nèi)粉末容易清理,無(wú)粉末堵塞現(xiàn)象,點(diǎn)陣材料結(jié)構(gòu)完整。
圖2
圖2 電子束選區(qū)熔化(SEBM)成形Ti-6Al-4V點(diǎn)陣材料的宏觀形貌
(a) O (b) T (c) D (d) G (e) I (f) P
Fig.2 Macrostructures of Ti-6Al-4V lattice material manufactured by selective electron beam melting (SEBM)
圖3為SEBM成形TPMS樣品表面形貌的SEM像(圖中箭頭為打印方向,標(biāo)有箭頭的樣品其表面平行于打印方向,未標(biāo)箭頭的樣品其表面垂直于打印方向)。由圖可知,經(jīng)SEBM技術(shù)成形的點(diǎn)陣材料整體連續(xù)性較好,保留了片狀TPMS的曲面特征以及整體形態(tài)特征,與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)(CAD)的模型有良好的幾何一致性,說(shuō)明SEBM具有成形曲面結(jié)構(gòu)的能力。另外觀察到成形后的樣品表面都有明顯的臺(tái)階紋,這是SEBM成形過(guò)程中在樣品上進(jìn)行分層制造而引起的。圖3e和f分別為G結(jié)構(gòu)樣品的側(cè)面以及底面形貌。可以看出,樣品的側(cè)面和底面較粗糙,主要原因是其表面粘附了許多半熔融粉末顆粒。這些半熔融顆粒造成了設(shè)計(jì)樣品與成形樣品在尺寸以及相對(duì)密度上的偏差,具體數(shù)值如表1所示。由表1可知,由于設(shè)備打印尺寸精度的原因,每個(gè)點(diǎn)陣材料的尺寸都偏離了原始設(shè)計(jì),打印前后相對(duì)密度范圍從0.13~0.40變化到0.14~0.36,范圍整體縮小。另外,打印后樣品尺寸變化規(guī)律與設(shè)計(jì)尺寸相關(guān),當(dāng)設(shè)計(jì)樣品的厚度≤ 530 μm時(shí),打印后樣品厚度增大,相對(duì)密度隨之增大,而當(dāng)設(shè)計(jì)尺寸> 530 μm時(shí),打印后樣品的厚度普遍縮小,相對(duì)密度減小。Arcam A2電子束快速成型機(jī)成形下限在0.3~0.5 mm之間[18],對(duì)于厚度較小的單元結(jié)構(gòu),設(shè)備成形能力的局限性導(dǎo)致試樣尺寸均大于設(shè)計(jì)尺寸;對(duì)于厚度較大的單元結(jié)構(gòu),凝固收縮的影響較大,成形后結(jié)構(gòu)尺寸偏小。總體而言,樣品成形尺寸誤差≤ 170 μm。
圖3
圖3 SEBM成形Ti-6Al-4V三周期極小曲面(TPMS)點(diǎn)陣材料表面形貌的SEM像
(a) D (top) (b) G (top) (c) I (top) (d) P (top) (e) G (side) (f) G (bottom)
Fig.3 SEM images of the SEBM manufactured Ti-6Al-4V TPMS lattice material (For arrowed sample, the arrow shows the building direction while for the arrow-free samples, building direction is perpendicular to the image plane)
表1 SEBM成形Ti-6Al-4V點(diǎn)陣材料設(shè)計(jì)和打印后形態(tài)特征參數(shù)及壓縮性能
Table 1
Sample | Ralative density | Thickness / μm | Yield strength | σ | E | ε | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Designed | Printed | Designed | Printed | MPa | MPa | MPa | % | ||
O1 | 0.13 | 0.16 | 530 | 540 | 27.8 | 32.8 | 1036.8 | 5.1 | |
O2 | 0.21 | 0.20 | 700 | 680 | 46.5 | 53.3 | 1684.8 | 4.7 | |
O3 | 0.26 | 0.25 | 800 | 720 | 62.7 | 78.2 | 2234.1 | 4.6 | |
O4 | 0.35 | 0.30 | 940 | 830 | 96.7 | 117.8 | 3036.6 | 7.6 | |
T1 | 0.15 | 0.14 | 820 | 760 | 21.2 | 23.4 | 900.0 | 4.1 | |
T2 | 0.20 | 0.18 | 940 | 890 | 43.6 | 50.2 | 1733.0 | 4.8 | |
T3 | 0.25 | 0.22 | 1120 | 1060 | 61.2 | 71.4 | 2300.7 | 4.2 | |
T4 | 0.30 | 0.26 | 1260 | 1180 | 84.3 | 100.1 | 3414.1 | 6.1 | |
D1 | 0.20 | 0.21 | 440 | 560 | 95.5 | 117.4 | 3329.1 | 10.5 | |
D2 | 0.25 | 0.22 | 540 | 530 | 103.8 | 122.3 | 3199.0 | 8.9 | |
D3 | 0.30 | 0.26 | 660 | 650 | 113.0 | 138.7 | 3899.8 | 10.1 | |
D4 | 0.35 | 0.30 | 820 | 670 | 135.9 | 171.9 | 4461.5 | 8.9 | |
D5 | 0.40 | 0.36 | 880 | 750 | 194.8 | 234.3 | 4722.9 | 9.3 | |
G1 | 0.20 | 0.18 | 540 | 520 | 63.4 | 79.0 | 2281.0 | 9.9 | |
G2 | 0.25 | 0.21 | 660 | 540 | 74.6 | 94.9 | 2745.7 | 10.2 | |
G3 | 0.30 | 0.26 | 800 | 640 | 97.9 | 127.4 | 3208.0 | 10.6 | |
G4 | 0.33 | 0.28 | 900 | 740 | 116.5 | 150.3 | 3600.3 | 10.3 | |
G5 | 0.35 | 0.30 | 940 | 770 | 128.6 | 162.9 | 3920.0 | 10.8 | |
P1 | 0.13 | 0.14 | 440 | 510 | 71.3 | 80.7 | 3124.2 | 6.2 | |
P2 | 0.20 | 0.18 | 700 | 680 | 77.8 | 83.4 | 2212.3 | 7.8 | |
P3 | 0.25 | 0.22 | 880 | 840 | 82.2 | 98.4 | 2624.1 | 8.4 | |
P4 | 0.30 | 0.26 | 1060 | 940 | 106.0 | 132.0 | 3256.3 | 9.9 | |
P5 | 0.35 | 0.31 | 1220 | 1050 | 136.3 | 173.4 | 4200.1 | 9.5 | |
I1 | 0.17 | 0.20 | 440 | 520 | 33.6 | 38.1 | 1232.1 | 7.7 | |
I2 | 0.20 | 0.22 | 520 | 560 | 56.3 | 64.8 | 1937.2 | 8.4 | |
I3 | 0.25 | 0.24 | 640 | 610 | 74.8 | 90.1 | 2578.2 | 9.4 | |
I4 | 0.30 | 0.29 | 820 | 720 | 101.2 | 119.6 | 3443.2 | 8.8 | |
I5 | 0.35 | 0.33 | 980 | 890 | 121.3 | 156.4 | 3568.3 | 9.8 |
2.2 顯微組織
SEBM成形Ti-6Al-4V D型TPMS點(diǎn)陣材料微觀組織的OM像如圖4所示(圖中箭頭表示打印方向)。可以看出,SEBM成形點(diǎn)陣材料的微觀形貌為平行于打印方向的原始粗大β柱狀晶,柱狀晶粒中充滿(mǎn)了由柱狀晶邊界產(chǎn)生的非常細(xì)小的、正交取向的針狀馬氏體(α')組織以及細(xì)小α + β片組成的魏氏組織。SEBM成形過(guò)程中較高的溫度梯度使得新晶粒來(lái)不及長(zhǎng)大便被吞并,且沿著打印方向散熱促進(jìn)了晶粒的外延生長(zhǎng),導(dǎo)致粗大原始β柱狀晶組織的形成,而成形過(guò)程中較高的冷卻速率促進(jìn)了針狀α'組織的形成。
圖4
圖4 SEBM成形Ti-6Al-4V金剛石(D)型TPMS點(diǎn)陣材料顯微組織的OM像
Fig.4 Low (a) and high (b) magnified OM images of SEBM manufactued Ti-6Al-4V type D TPMS lattice material (The arrows show the building directions)
2.3 壓縮性能
SEBM成形Ti-6Al-4V D型TPMS點(diǎn)陣材料的應(yīng)力-應(yīng)變曲線(xiàn)如圖5所示,其他點(diǎn)陣材料的應(yīng)力-應(yīng)變曲線(xiàn)與其類(lèi)似。樣品壓縮時(shí)主要經(jīng)歷了以下幾個(gè)階段。彈性階段:應(yīng)力-應(yīng)變曲線(xiàn)以線(xiàn)性響應(yīng)開(kāi)始,該階段線(xiàn)性斜率越大,彈性模量越大;塑性階段:隨著應(yīng)變?cè)黾樱瑧?yīng)力非線(xiàn)性增加,發(fā)生塑性變形,隨著應(yīng)力累積,樣品破壞,應(yīng)力迅速下降;應(yīng)力波動(dòng)階段:壓頭壓到樣品的下一層結(jié)構(gòu)時(shí)應(yīng)力又開(kāi)始非線(xiàn)性增加,但在第2層結(jié)構(gòu)接觸到剪切帶時(shí),應(yīng)力下降,以此類(lèi)推,樣品層層壓潰,在曲線(xiàn)上表現(xiàn)出波紋線(xiàn);致密化階段:最后樣品層與層之間相互接觸,應(yīng)力持續(xù)上升,樣品逐漸致密化,壓縮實(shí)驗(yàn)停止。
圖5
圖5 SEBM成形Ti-6Al-4V D型TPMS點(diǎn)陣材料典型壓縮應(yīng)力-應(yīng)變曲線(xiàn)
Fig.5 Typical stress-strain curve of SEBM manufactured Ti-6Al-4V type D TPMS lattice material
SEBM成形Ti-6Al-4V點(diǎn)陣材料的力學(xué)性能如表1所示。由表1可知,相同結(jié)構(gòu)的點(diǎn)陣材料,隨著相對(duì)密度的增加,點(diǎn)陣材料強(qiáng)度、彈性模量均增加;2種不同類(lèi)型的點(diǎn)陣材料,其性能差異較大,由表1可得,在相同密度范圍內(nèi),片狀TPMS點(diǎn)陣材料的屈服強(qiáng)度、抗壓強(qiáng)度、彈性模量以及塑性均高于桁架點(diǎn)陣材料;另外,4種TPMS點(diǎn)陣材料其性能亦不同,D型TPMS點(diǎn)陣材料較其他3種TPMS點(diǎn)陣材料具有較高的強(qiáng)度,其抗壓強(qiáng)度可達(dá)234.3 MPa。
桁架結(jié)構(gòu)存在節(jié)點(diǎn)、直角邊、桿單元結(jié)構(gòu)特性,受力時(shí)在節(jié)點(diǎn)、直角邊處存在嚴(yán)重的應(yīng)力集中,在應(yīng)力集中處過(guò)早發(fā)生塑性變形;另外,桿單元在承載時(shí)易發(fā)生屈曲、彎曲變形,破壞了材料的穩(wěn)定性;因此桁架點(diǎn)陣材料在應(yīng)力-應(yīng)變曲線(xiàn)上體現(xiàn)出較差的塑性、較低的強(qiáng)度及彈性模量。而TPMS為連續(xù)的曲面結(jié)構(gòu),無(wú)節(jié)點(diǎn)、直角、桿單元等結(jié)構(gòu)特點(diǎn),結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性好,受力均勻,載荷均勻傳遞,應(yīng)力集中的影響較小。因此,片狀TPMS點(diǎn)陣材料的力學(xué)性能高于桁架點(diǎn)陣材料。另外,在4種TPMS點(diǎn)陣材料中,D型TPMS結(jié)構(gòu)比表面積大,彎曲程度較小,壓縮時(shí)軸向材料利用率較G、I、P點(diǎn)陣材料高,因此D型TPMS點(diǎn)陣材料具有較高的強(qiáng)度。
上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示SEBM成形Ti-6Al-4V TPMS點(diǎn)陣材料的力學(xué)性能均高于桁架點(diǎn)陣材料,但本工作只采用了八面體以及十四面體結(jié)構(gòu),數(shù)據(jù)不全面,為了更完整地說(shuō)明片狀TPMS優(yōu)越的力學(xué)性能,整理了文獻(xiàn)報(bào)導(dǎo)的關(guān)于SLM成形Ti-6Al-4V片狀TPMS的壓縮性能參數(shù)[13],以及SEBM[1,6~8,19]、SLM[20~46]成形所有Ti-6Al-4V桁架點(diǎn)陣材料的力學(xué)性能,包括骨骼型TPMS、立方、體心立方、面心立方、菱形、十二面體、八面體、十四面體等多個(gè)結(jié)構(gòu),如圖6所示(SLM成形TPMS的彈性模量數(shù)據(jù)無(wú)法提取,未顯示)。
圖6
圖6 激光選區(qū)熔化(SLM)和SEBM成形Ti-6Al-4V點(diǎn)陣材料的力學(xué)性能對(duì)比
(a) compressive strain (
(b) specific elastic modulus
(c) specific yield strength
(d) specific compressive strength
Fig.6 Comparisons of compressive properties between laser selective melting (SLM) and SEBM manufactured Ti-6Al-4V lattice materials
從圖6可以看出,點(diǎn)陣材料的比彈性模量(彈性模量/密度)、比屈服強(qiáng)度(屈服強(qiáng)度/密度)、比抗壓強(qiáng)度都隨著相對(duì)密度的增加而增加。因此,在對(duì)比點(diǎn)陣材料的性能時(shí),相對(duì)密度須在相同范圍之內(nèi)。
壓縮應(yīng)變是體現(xiàn)材料塑性的重要參數(shù),圖6a為SLM和SEBM成形Ti-6Al-4V點(diǎn)陣材料的壓縮應(yīng)變,圖中給出了各組壓縮應(yīng)變平均值(
SEBM成形片狀D型TPMS點(diǎn)陣材料在相對(duì)密度為0.36時(shí)(密度為1.595 g/cm3),屈服強(qiáng)度、抗壓強(qiáng)度分別為194.8和234.3 MPa (表1),可得其比屈服強(qiáng)度、比抗壓強(qiáng)度分別為122.1和146.9 MPa/(g·cm-3),在相同相對(duì)密度下,片狀D型TPMS點(diǎn)陣材料的比屈服強(qiáng)度、比抗壓強(qiáng)度高于目前文獻(xiàn)報(bào)道及本工作所有SEBM/SLM技術(shù)成形Ti-6Al-4V桁架點(diǎn)陣材料的最大比屈服強(qiáng)度95.1 MPa/(g·cm-3)和比抗壓強(qiáng)度119.6 MPa/(g·cm-3)。
可見(jiàn),片狀TPMS點(diǎn)陣材料表現(xiàn)出更輕、更強(qiáng)的力學(xué)性能,這為航空、航天以及生物醫(yī)療等應(yīng)用提供更多的潛在候選。
3 結(jié)論
(1) 通過(guò)SEBM技術(shù)成功制備了Ti-6Al-4V TPMS點(diǎn)陣材料,成形的點(diǎn)陣材料尺寸誤差在束斑直徑范圍之內(nèi),與CAD模型具有良好的幾何一致性。
(2) 結(jié)合本工作以及文獻(xiàn)報(bào)道結(jié)果顯示,SLM/SEBM成形Ti-6Al-4V TPMS點(diǎn)陣材料的力學(xué)性能普遍高于桁架點(diǎn)陣材料,證明了片狀TPMS點(diǎn)陣材料的力學(xué)優(yōu)越性。
(3) SEBM成形Ti-6Al-4V點(diǎn)陣材料中,片狀D型TPMS點(diǎn)陣材料的比抗壓強(qiáng)度最高,為146.9 MPa/(g·cm-3),在相同相對(duì)密度下,遠(yuǎn)高于本研究和文獻(xiàn)報(bào)道的SLM/SEBM成形Ti-6Al-4V點(diǎn)陣材料的最大比抗壓強(qiáng)度119.6 MPa/(g·cm-3)。
來(lái)源--金屬學(xué)報(bào)
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