1.
2.
結合電子衍射、TEM明/暗場像和HRTEM像從[100]2:17R和[101]2:17R2個晶帶軸研究了具有納米胞狀組織的Sm25Co50.2Fe16.2Cu5.6Zr3.0(質量分數,%)釘扎型磁體胞邊緣的微結構。結果表明,胞狀組織邊緣存在菱方結構的2:17R'相,與ABCA3層堆垛周期的2:17R相相比有一層{001}基面原子錯排,造成疇壁能密度高于胞內的2:17R相,從而產生不利于方形度的排斥型疇壁釘扎。進一步的對比研究表明,2:17R'相的超晶格衍射斑點可覆蓋實驗觀察到的所有衛星斑,排除了之前文獻中根據部分衛星斑所認為的2:17H相或Smn+ 1Co5n- 1相。因此,本工作為理解Sm2(Co,M)17磁體方形度低的微結構根源提供了新證據。
關鍵詞:
2:17型Sm(Co,M)z磁體屬于析出硬化型永磁材料,五元合金經燒結、固溶、時效等工藝處理后在微米尺度(數十微米)晶粒內形成納米胞狀顯微組織(尺寸100~200 nm):富Co/Fe的Th2Zn17型菱方相(2:17R)占據胞內,與之完全共格的富Cu的CaCu5型六方析出相(1:5H)占據{011}2:17R錐面胞壁,富Zr的NbBe3型片層析出相(1:3R)貫穿胞狀組織并與{001}基面平行。通過長期研究,普遍認為2:17型Sm(Co,M)z磁體的矯頑力源于富Cu的胞壁1:5H相對磁疇壁的釘扎作用[8~12],且內稟矯頑力Hcj正比于胞內和胞壁之間的疇壁能密度(γ)梯度[13,14]。由于制備過程中Sm元素的揮發和氧化以及合金元素的偏析,即使在固溶處理態也會不可避免地形成少量的Sm2O3、Fe-Co及富Zr的Zr6(Co, Fe)23和Smn+ 1Co5n- 1(n= 2,1:3R;n= 3,2:7R,Gd2Co7型菱方相;n= 4,5:19R,Ce5Co19型菱方相)等非磁性或軟磁性相[15~18]。在后續的時效過程中,晶界附近以及這些初生相周圍所析出的胞壁1:5H相少于其他區域,優先退磁,不利于獲得高的方形度[19,20]。更重要的是,在占據絕大部分體積分數、具有完整納米胞狀組織的晶內區域,胞邊緣以及1:3R片層相與1:5H相的交界處對磁疇壁的釘扎作用弱于胞壁1:5H相[7,18,21],是磁體方形度低的主要原因。Xiong等[13]認為胞壁1:5H相的γ高于2:17R胞狀相,但胞邊緣的γ低于胞內2:17R相,因而釘扎作用弱于前者。所以,揭示胞邊緣與胞內2:17R相的微結構差異,成為認識該類磁體方形度低的關鍵。
然而,目前對胞邊緣微結構的認識尚存爭議。大量的透射電鏡(transmission electron microscopy,TEM)研究[22~32]表明,具有完整納米胞狀組織區域的電子衍射花樣中包含不屬于2:17R、1:5H和1:3R相的衛星斑點。以[100]2:17R晶帶軸為例,沿[001]*和[010]*(*表示倒易空間)方向均出現1/3和2/3衛星斑點。早期的研究[23~27]認為它是1:5H相、2:17H相(Th2Ni17型六方相)、2:17R + 2:17H混合相或2:17R + 2:7R混合相。近期,也有研究[28]認為它是無序的2:17R相。前期工作[31]通過對比不同時效階段的電子衍射花樣、高分辨透射電鏡(High-resolution TEM,HRTEM)像和相應的快速Fourier變換(fast Fourier transformation,FFT)圖,認為它是由2:17H相向2:17R相轉變的菱方2:17R'中間相,即2:17H相基面滑移不完全、尚有一層含Sm原子基面錯排的2:17R相。為了澄清上述爭議,本工作進一步采用TEM從[100]2:17R和[101]2:17R2個晶帶軸進行表征,結合電子衍射、TEM明/暗場像、HRTEM像及FFT圖對胞邊緣的微結構展開綜合分析,并與模擬的電子衍射花樣和原子結構進行對比,確認其為2:17R'相。
實驗用Sm25Co42.9Fe23.5Cu5.6Zr3.0(質量分數,%)和Sm25Co50.2Fe16.2Cu5.6Zr3.0(質量分數,%)磁體采用粉末冶金工藝制備,分別命名為Fe-23.5和Fe-16.2。將感應熔煉所得合金破碎成粉末,進一步球磨后獲得平均尺寸為4~6 μm的磁粉。磁粉在> 796 kA/m磁場和約150 MPa壓應力下取向成型,再經約200 MPa冷等靜壓制成坯體。坯體在高溫真空爐中Ar氣保護環境下約1200℃燒結3 h,然后在約1170℃固溶3和4 h,并快冷至室溫。隨后,分別將Fe-23.5和Fe-16.2試樣在870和830℃時效10 h以上,以0.7℃/min慢冷至400℃,并在該溫度二次時效1 h,隨爐冷卻至室溫,得到終態磁體。
經前期的PPMS-9T磁強計測試,Fe-16.2樣品的室溫Hcj和(BH)max分別為2817 kA/m和236 kJ/m3,退磁曲線的方形度為79.1%[32]。Fe-23.5樣品的室溫Hcj和(BH)max分別為449 kA/m和123 kJ/m3,退磁曲線的方形度為35.8%[30]。采用研磨、拋光和離子減薄方法制備TEM樣品。采用JEM-2100F型TEM進行微結構表征。選擇晶內遠離初生相、且具有納米胞狀組織的典型區域進行表征,分別傾轉到[100]2:17R和[101]2:17R晶帶軸,拍攝電子衍射花樣、TEM明/暗場像和HRTEM像。所用電子束電壓為200 kV。采用Digitalmicrograph軟件對HRTEM像進行選區FFT和反Fourier變換(inverse fast Fourier transformation,IFFT)處理。
圖1為Fe-16.2磁體典型胞狀組織區域的TEM明、暗場像及選區電子衍射(SAED)花樣。圖1a為沿[100]2:17R晶帶軸拍攝的TEM明場像,即c軸在面內,胞壁1:5H相沿{011}錐面分布,同時可觀察到與{001}基面平行的1:3R片層相貫穿胞狀組織。圖1d為沿[101]2:17R晶帶軸拍攝的TEM明場像,即c軸在面外,不能觀察到1:3R片層相。1:5H相僅能產生基礎斑點,2:17R相以納米孿晶形式存在,在圖1c和f中進行了標定。在[100]2:17RSAED花樣(圖1c)中,2:17R孿晶在{012}*、{021}*、{011}*和{022}*位置產生超晶格衍射斑點;在[101]2:17RSAED花樣(圖1f)中,超晶格衍射斑點出現在{
圖1沿Sm25Co50.2Fe16.2Cu5.6Zr3.0磁體[100]2:17R和[101]2:17R晶帶軸的TEM明、暗場像及選區電子衍射(SAED)花樣
Fig.1TEM bright field images (a, d), dark field images (b, e), selected area electron diffraction (SAED) patterns (c, f) for the Sm25Co50.2Fe16.2Cu5.6Zr3.0magnet taken along [100]2:17R(a-c) and [101]2:17R(d-f) zone axes (The dark field images were taken using the (010)2:17R'or (020)2:17R'superlattice reflections circled by white in Figs.1c and f)
進一步沿這2個晶帶軸拍攝了HRTEM像并結合FFT表征胞邊緣的相結構。圖2a為沿[100]2:17R晶帶軸拍攝的胞邊緣HRTEM像,可看到胞邊緣存在{001}<120>型層錯。圖2b為該區域的FFT圖,它包含在圖1c中觀察到的所有額外超晶格衍射斑點以及2:17R孿晶的4個超晶格衍射斑點。圖2c為2:17R'與2:17R相界面附近的IFFT圖,兩相界面(白色虛線)平行于{001}基面,晶格中的Sm原子用白色圓圈圈出。2:17R相包含Sm原子的基面以ABCA3層堆垛周期排列;與之不同的是,2:17R'相則有一層包含Sm原子的基面錯排,其堆垛周期為AXBA。因此,2:17R'相可以理解為具有層錯的2:17R相。圖2d為沿[101]2:17R晶帶軸拍攝的胞內HRTEM像,在圖2e的FFT圖中可以看到{
圖2Sm25Co50.2Fe16.2Cu5.6Zr3.0磁體微結構的HRTEM表征
Fig.2HRTEM characterizations of Sm25Co50.2Fe16.2Cu5.6Zr3.0magnet along [100]2:17R(a-c) and [101]2:17R(d-i) zone axes (Sm positions are indicated by white circles)(a-c) HRTEM image, fast Fourier transform (FFT) pattern, and inverse fast Fourier transform (IFFT) image of the cell edge, respectively (d-f) HRTEM image, FFT pattern, and IFFT image of the 2:17R cell interior, respectively (g-i) HRTEM image, FFT pattern, and IFFT image of the 2:17R' cell edge, respectively
在之前的研究中,有研究[23]認為[100]2:17R花樣中的衛星斑源于1:5H相的[10
圖32:17H、1:5H、1:3R、2:7R和5:19R相沿平行于[100]2:17R和[101]2:17R晶帶軸的模擬電子衍射花樣
Fig.3Simulated electron diffraction patterns for 2:17H (a1, b1), 1:5H (a2, b2), 1:3R (a3, b3), 2:7R (a4, b4), and 5:19R (a5, b5) phases along their specific zone axes parallel to [100]2:17R(a1-a5) and [101]2:17R(b1-b5)
為了進一步對比2:17R'相與Smn+ 1Co5n- 1相的差別,從[100]2:17R//[210](n+ 1):(5n- 1)晶帶軸進行了HRTEM像分析。需要指出的是,1:3R (n= 2)片層相在胞內普遍存在,而2:7R (n= 3)相容易在富Fe磁體的晶界處出現[18,30]。圖4a和d分別為Fe-23.5磁體晶內和晶界附近的TEM明場像。前者內的1:3R片層相厚度在3~10 nm之間,后者內的2:7R相厚度超過200 nm[30]。圖4b和c分別為1:3R相的FFT和IFFT圖。可以看到,{003}1:3R超晶格衍射斑點位于[001]
圖4Sm25Co42.9Fe23.5Cu5.6Zr3.0磁體中1:3R和2:7R相的TEM表征
Fig.4TEM bright field images of Sm25Co42.9Fe23.5Cu5.6Zr3.0magnet along [100]2:17Rat grain interior (a) and grain boundary (GB) (d) regions, FFT pattern (b) and IFFT image (c) of the grain interior 1:3R platelet, and FFT pattern (e) and IFFT image (f) of the grain boundary 2:7R
上述TEM結果表明,只有胞邊緣的2:17R'相能產生在[100]2:17R和[101]2:17R晶帶軸衍射花樣中觀察到的全部超晶格衍射斑點。
為了理解2:17R'相的形成機制,近期提出了一個基面滑移模型[31]。該模型基于Rabenberg等[33]提出的高溫2:17H亞穩相經位移型相變轉變為2:17R平衡相的觀點而提出。他們認為,2:17H相可通過a/3<
圖52:17R和2:17R'相的單胞、原子投影圖和模擬的電子衍射花樣
Fig.5Unit cells (a1, a2), projections (b1, d1, b2, d2), and simulated electron diffraction patterns (c1, e1, c2, e2) along [100]2:17Rand [101]2:17Rzone axes of 2:17R (a1-e1) and 2:17R' (a2-e2)
位錯和層錯等缺陷均會引起自由能升高,從而位于胞邊緣的2:17R'相(具有層錯的2:17R相)會改變胞內和胞壁之間的疇壁能密度梯度。近期的HRTEM和Lorentz-TEM表征[30,32]表明,2:17R'相也會分布在部分胞壁上,其疇壁能密度高于2:17R相,形成排斥型疇壁釘扎;由于Cu在胞壁1:5H相中的富集[22],會使1:5H相疇壁能密度低于2:17R相,形成吸引型疇壁釘扎。根據文獻[34,35],吸引型釘扎的疇壁難以被低磁場驅動,更有利于提高方形度和矯頑力;而排斥型釘扎的疇壁更容易被低磁場驅動,不利于方形度。胞邊緣2:17R'相的疇壁能密度高于2:17R相,起到與富Cu的胞壁1:5H相相反的釘扎作用,因而造成了非均勻反磁化過程。此外,近期的球差矯正電鏡工作[30]還表明,1:5H相和2:17R相的界面處存在多余的間隙原子,它們作為點缺陷降低了2:17R相的有序度,也會引起界面處的疇壁能密度高于胞內的2:17R相,即產生不利于方形度的排斥型疇壁釘扎作用。綜合這2方面的實驗結果,圖6中給出了修正的疇壁能密度分布,即富Cu的胞壁1:5H相疇壁能密度低于胞內的2:17R相,而胞邊緣包含層錯的2:17R'相或富集點缺陷的弱有序2:17R相的疇壁能密度高于2:17R相,與早期文獻[13]給出的趨勢相反。上述發現對理解Sm2(Co, M)17磁體方形度低的微結構根源提供了新證據,也將對進一步提高磁體的磁性能提供重要參考。
圖6修正的疇壁能密度分布示意圖
Fig.6Updated schematic domain wall energy density profile across 1:5H cell boundary (CB), 2:17R' cell edge, and 2:17R cell interior (“Attractive” refers to the attractive domain-wall-pinning, “repulsive” refers to the repulsive domain-wall-pinning)
通過胞邊緣微結構的透射電子顯微鏡表征,確認選區電子衍射花樣中的額外超晶格衍射斑源于2:17R'相,而非早期文獻中認為的1:5H、2:17H或Smn+ 1Co5n- 1相。2:17R'相是2:17H相未完全轉變為2:17R相的中間相,與2:17R平衡相相比有一層基面原子錯排。位于胞邊緣的2:17R'相局部自由能高于胞內的2:17R相,引起不利于方形度的排斥型磁疇壁釘扎,據此修正了疇壁能密度分布圖。
1實驗方法
2實驗結果與分析
圖1
圖2
圖3
圖4
圖5
圖6
3結論
來源--金屬學報