- 摘要:鎂合金具有的獨特性能已在汽車、航空、航天、電子、兵工等領域廣泛應用，但其極易腐蝕的缺點給設備的安全、穩定運行帶來潛在的危險，甚至造成重大經濟損失。本文從微弧氧化技術的研究現狀著手，重點討論了電解液體系、電參數、氧化時間、添加劑等對鎂合金陶瓷膜性能的影響，進而分析了微弧氧化陶瓷膜的組成、結構特征和形成過程，并提出了鎂合金微弧氧化的發展方向。
鎂合金是目前最輕的金屬結構材料，同時具有高的比強度和良好的鑄造性能，成為工程塑料、鋁合金和鋼材應用的競爭者或替代品，在汽車、航空、電子、兵工等領域具有廣泛的應用前景，但其化學活性高（標準電極電位為−2.37 V）、極易腐蝕、耐磨性差、表面膜疏松多孔等，這些缺點成為制約其發揮結構性能優勢的最大障礙。因此，鎂合金需要進行表面處理后才能在大氣條件下長期使用。
目前廣泛采用的表面改性方法主要有陽極氧化處理、微弧氧化處理、激光表面處理、離子注入和磷化電泳處理等[1-2]。但是，經過傳統的陽極氧化處理的鎂合金表面的氧化膜較薄、耐蝕性差及嚴重環境污染等問題，難以滿足防腐和環保的要求[3]；離子注入和激光表面處理因成本和批量生產問題阻礙了其發展和產業化應用[4]；磷化電泳處理工藝還不成熟、工藝過程復雜、廢水排放量大、環境污染嚴重，限制了其應用和發展[5]。而微弧氧化是將Mg、Al、Ti等有色金屬置于電解液中，利用火花放電作用在鎂合金表面生成陶瓷膜的方法。由于微弧氧化技術生成的陽極氧化膜與金屬基體結合力強、電絕緣性好、光學性能優良、耐熱沖擊、耐磨損、耐腐蝕，表面防護效果遠遠優于傳統的表面處理方法，同時該技術具有工藝簡單、效率高、無污染、處理工件能力強等優點，逐漸成為鎂合金常用的表面處理方法[6-7]。
本文從微弧氧化技術的發展研究現狀著手，重點討論了電解液體系、電參數、氧化時間、添加劑等對鎂合金陶瓷膜性能的影響，進而分析了微弧氧化陶瓷膜的組成、結構特征和形成過程，總結了鎂合金微弧氧化存在的問題并對其發展進行了展望。
1. 微弧氧化的研究現狀
微弧氧化概念于20世紀50年代提出[8]，70年代Markow在傳統鋁陽極上進行陽極氧化研究，被Yerokhin[9]稱之為微弧氧化技術。微弧氧化裝置主要由電源和電解槽組成，如圖1所示。微弧氧化技術所形成的氧化膜具有明顯的三層結構：外部的疏松層、中間的致密層和內部的結合層。致密層占總膜厚的90%，與基體形成微區冶金結合。疏松層中存在許多孔洞及其他缺陷，其物理、化學特性與微弧氧化處理時電參量的選擇、電解液的配方以及樣品自身的特性有關。微弧氧化技術與陽極氧化技術的比較如表1所示。Kurse[11]利用火花放電在純鋁表面獲得含Al2O3的硬質膜層，為微弧氧化技術提供了研究基礎。
表 1微弧氧化與陽極氧化技術比較
直至20世紀90年代，國內外才開始加快了微弧氧化的研究工作，俄羅斯科學院提出了完整的理論并成功應用于多類工業領域。德國和美國在俄羅斯理論體系研究的基礎上完善了理論研究、工藝實驗、工藝設計與控制，并申請了相應的專利。我國在汲取國外研究的基礎上，先后開展了微弧氧化技術研究和工程化應用，先后建立了微弧氧化技術體系，取得了顯著的成就。微弧氧化技術的發展歷程如圖2所示。
鎂合金微弧氧化是將樣品放入電解液中，通電在表面經過火花放電生成很薄一層絕緣膜[13]。微弧氧化過程電流-電壓關系如圖3所示[14]，具體的過程：活潑氧原子的產生；空間電荷在氧化物基體中的形成；在氧化物孔中產生氣體放電；膜層材料的局部融化；熱擴散、膠體微粒的沉積；帶負電的膠體微粒遷移進入放電通道[15]；等離子體化學和熱化學反應等，放電形式有電暈、火花、輝光、微弧、電弧等，反應非常復雜[16]。
薛文斌等[17]研究了ZM5鎂合金微弧氧化過程中膜生長規律和膜的相結構及形貌特征，發現氧化膜生長機理在開始一段時間內，氧化膜向外生長速度大于向內生長速度，氧化膜達到一定厚度后，工件外部尺寸不再增加，而氧化膜完全轉向基體內部生長。氧化膜具有表面疏松層和致密層兩層結構。王志申等[18]發現ZM6鑄造鎂合金微弧氧化陶瓷膜層由表層疏松層、中間致密層以及內部過渡層組成，表層疏松多孔，過渡層與基體緊密結合。陶瓷層與基體結合好，附著力大于50 MPa；微弧氧化處理后，大幅度提高合金耐腐蝕性能，中性鹽霧腐蝕大于336 h；陶瓷膜層使基體疲勞性能降低18%。章志友等[19]認為：膜層表面分布著大量均勻的放電微孔，截面致密層厚度占膜層總厚度的60%以上，陶瓷層主要由Mg2SiO4和MgO組成，Mg元素的含量從基體到膜層外表面逐漸降低，O與Si元素均呈先增大后減小的趨勢，P含量則基本保持不變。馬穎等[20]證明了高電壓下制備的膜層經歷三個階段：腐蝕介質逐漸滲入膜層，腐蝕介質滲透膜層到達膜基面侵蝕基體，腐蝕產物填充微孔和微裂紋等缺陷；而低電壓下制備的膜層隨著浸泡時間的延長，膜層外部疏松層和內部致密層的電阻均逐漸減小，致使耐蝕性降低，最終膜層完全失效。
從國內外微弧氧化技術的研究現狀可以看出，該技術形成和發展時間較短，基礎理論和實際應用尚處于探索階段，微弧氧化的成膜機理尚未統一，大多數研究都著眼于電弧產生的機理上。火花放電的機理主要有以下3種：熱作用引起電擊穿[21]、機械作用引起的電擊穿[22]、“電子雪崩”模型[23]。這三種模型在一定程度上對微弧氧化進行了合理解釋，但是它們均有自己的局限性。熱作用機理僅僅能夠對大電流密度作用下產生電擊穿現象進行定性解釋，然而實際中小電流密度下也能發生微弧氧化反應，因此有待于進一步的完善該理論；機械作用引起的電擊穿沒有提出合適的定量理論模型，同時也不能很好地解釋其他研究中產生的一些實驗現象；“電子雪崩”模型是目前學界比較認可的，但它仍不能解釋所有的微弧氧化過程，隨著微弧氧化工藝的發展，陸續有學者提出了更多的理論，比如電子隧道效應[24]、高能電子[25]、火花沉積模型和微橋放電模型等[26]，但這些理論也都不能全面地解釋微弧氧化的成膜機理。因此合理的、能全面描述陶瓷層形成的模型還有待進一步研究探討。
陳宏等[27]發現了微弧氧化膜層形成規律及成膜機制，可描述為三階段模型，如圖4所示：第1階段為局部腐蝕與氧化相互競爭階段，在表面缺陷處首先開始腐蝕，形成疏松的氧化膜，同時伴隨水的電解過程；第2階段為微區放電階段，表面整體被氧化，形成少量孔洞的較致密氧化膜層，水的電解過程加劇；第3階段為弧光放電階段，氧化劇烈，膜層在電弧作用下擊穿形成連通的孔洞，且孔洞直徑和數量增加。
2. 工藝參數對鎂合金微弧氧化的影響
與 Al、Ti合金微弧氧化技術研究和應用相比，鎂合金微弧氧化技術相對滯后，目前研究主要集中于微弧氧化膜的形成過程、微觀結構以及電解液成分和工藝參數優化等。微弧氧化陶瓷層的性能主要受電解液組分和濃度、電壓、電流密度、氧化時間和添加劑等因素的影響，其中電解液組分的影響最大[28]。
2.1 電解液體系
電解液溶液體系主要包括氫氧化鈉體系、硅酸鹽體系、磷酸鹽體系、鋁酸鹽體系和聚合物體系。陶瓷層對電解液中離子的吸附有選擇性，常見的離子吸附能力由強到弱依次為SiO32−>PO43−>VO43−>MnO42−>WO42−>B4O2−>CrO42−[29]。堿性硅酸鹽溶液是目前實驗中應用最廣泛的電解液，電解液的主成分為硅酸鈉、氟化鈉、甘油及氫氧化鉀。
電解液是影響微弧氧化陶瓷膜性能的主要因素。電解液的組成和濃度對鎂合金微弧氧化陶瓷膜的生長和性能有很大影響。電解液的組成和濃度不同，制得的陶瓷膜的顏色、厚度、化學組成、結構、耐磨性以及耐蝕性能都會存在一定的差異[30]。在電解液組分優化研究上，閻峰云等[31]確定了AZ91D鎂合金在硅酸鹽體系下電解液的優選配方硅酸鈉8 g/L、氟化鉀10 g/L、甘油18 mL/L、氫氧化鈉2 g/L。王萍等[32]確定了鋁酸鹽體系中電解液的最優配方：NaA1O2的質量濃度為5 g/L，H2O2的體積分數為1.0%，KF的質量濃度為6 g/L，丙三醇的體積分數為1.5%。Wu等[33]通過配方設計和工藝優化，提出了一種環保型鎂鋰合金微弧氧化著色涂料，具有優異的耐蝕性和光學偽裝保護功能，采用自行研制的微弧氧化實驗線在Mg-8Li-1Al合金表面成功地形成了涂層。
KOH含量對膜層也有一定影響，Young[34]等分析了KOH對膜層厚度、形貌的影響，得出膜層厚度隨KOH含量的不斷增加而變厚。Joni[35]通過實驗得出當KOH濃度為0.5~1.5 mol/L時，膜層孔徑及孔隙率下降；當超過1.5 mol/L時，膜層孔徑增大，產生微裂紋等。
在電解液溶液中[36]，磷元素的化學計量比可以提高微弧氧化成膜速度，降低氧化膜的孔隙率，提高其致密性，增強與基體的結合力，并改變氧化膜的組成。同時，分子的聚合狀態也影響其成膜速度和氧化膜的孔隙率，鏈狀聚合物可提高氧化膜成膜速度及氧化膜的致密性，降低其孔隙率，而環狀聚合物對其影響較小。
圖5為AZ91D合金在不同電解液體系中形成的微弧氧化膜層形貌。在磷酸鹽系膜層表面存在微米級小孔，而硅酸鹽系膜層則無明顯的孔洞，這可能源于磷酸鹽系和硅酸鹽系膜層的不同終止電壓，終止電壓的高低反映了基體表面的微等離子體化學反應激烈程度，加上磷酸鹽和硅酸鹽對基體的鈍化機制差別最終導致了兩種膜層的截然不同的表面形貌。
2.2 電參數
電參數是影響氧化膜厚度和質量的重要因素之一[38]。在電參數對鎂合金微弧氧化膜厚度的影響方面，各因素的主次順序為終電壓>電流密度>占空比>頻率。電流密度、終電壓對氧化膜厚度具有很大的影響[39]。
隨電流密度的增加和頻率的減小，膜層的生長速度越快、晶化程度越高、槽壓越高、膜層越厚，而膜層也越粗糙、孔隙率越高，電參數的變化能影響MgO、Mg2SiO4、MgAl2O4和不定形相相在氧化膜中的比例，但不能影響相是否在微弧氧化過程中生成，增加電流密度和減小頻率均使膜層的生長速度增加，而占空比對其影響不大[40]。
在微弧氧化過程中，在不同終止電壓下可獲得3種不同性能的膜層：鈍化膜、微火花氧化膜、弧火花氧化膜，并且氧化終止電壓越高，膜層越厚，但孔徑增大，顯微缺陷增多；膜層耐蝕性能由膜層厚度與終止電壓共同決定，微火花放電階段所得膜層的性能優于弧放電階段所得膜層的性能[41]。
處理電壓主要影響膜層厚度及耐蝕性，通常電壓越高，膜層越厚，耐蝕性越好，而頻率和占空比主要影響膜層孔隙率與耐蝕性能[42]。隨著電壓的升高，微弧氧化過程會經歷三個階段：陽極氧化、微弧氧化、大弧放電，其中微弧氧化階段是電弧不斷起弧、穩弧、熄弧的過程。但在大弧階段，破壞了膜層的連續性和均勻性，降低了膜層耐蝕性。大弧放電現象有自強化的作用，但隨著處理時間的增加，膜層破壞區域會逐漸變大。因此，為了得到厚度和耐蝕性更好的膜層，在提高處理電壓的同時應盡量避免大弧放電階段的產生[43]。王晟等[44]研究證明了持續電弧破壞了膜層表面的微孔結構，如圖6所示，A為均勻的組織結構，B為粗糙的結構，呈現出表面粗糙度急劇增大，膜層厚度、成分不均勻的特點，使得微弧氧化成膜性變差，降低膜層的整體性能。該破壞會不斷加劇，是一個不可修復的過程。
從電源特征看，最早采用的是直流或單向脈沖-電源，隨后采用了交流電源，后來發展為不對稱交流電源。目前，微弧氧化所采用的電源模式多是同時施加正、負脈沖的雙極性脈沖電源。脈沖電源的脈沖寬度成了影響微弧氧化過程的重要因素。調節鎂合金在微弧氧化過程中的脈沖寬度，可以獲得更高的局部放電密度，有利于促進膜層的生長。放電的持續時間和密度分別取決于脈沖的寬度和能量，調節脈沖寬度會相應地改變鎂合金表面電弧的放電特性，因而可以改變所獲陶瓷膜的微觀結構和其他性能[45]。隨著脈沖寬度的增加，鎂合金試樣的起弧電壓逐漸降低，微弧氧化膜層的成膜速率增大，達到一定程度之后，成膜速率反而降低，膜層表面的孔洞數量減少，孔徑尺寸增大。
蘇立武等[46]研究了在不同脈沖頻率下的表面形貌，如圖7所示，在脈寬和脈沖電流不變的條件下，隨著脈沖頻率增加膜層表面火山堆狀微孔數量減少，孔徑增大。分析認為，脈沖頻率的增加并不影響單脈沖能量，而是增加了單位時間內試樣表面的總能量，導致多次重復擊穿的熔融產物數量增多，所需放電通道直徑變大。關于該實驗結果及該作用下膜層的防腐性是否提高，還有待于進一步證實。
2.3 氧化時間
氧化時間是影響微弧氧化性能的重要參數，通常是在維持一定電解液濃度和電流密度不變，通過考察樣品在不同反應時間下的膜層厚度和反應前后的尺寸變化得出氧化膜層的生長規律。隨著時間的延長，放電空洞變大，表面變得粗糙，硬度隨著氧化時間的增長先增大后減小，耐腐蝕能力隨著氧化時間的增長先增大后減小然后又開始增大。鎂合金微弧氧化過程基本可分為3個階段[47]：陽極沉積階段、微弧階段和局部弧光階段，鎂合金微弧氧化陶瓷層隨處理時間的延長，陶瓷層的耐蝕性呈現先增后減的變化趨勢。
隨著氧化時間的延長，微弧氧化過程中的陽極電壓、微弧氧化膜層的厚度和粗糙度都呈增大趨勢；微弧氧化膜層的結合力和孔隙率均呈先增大后減小的趨勢，在一定時間時出現最大值，膜層表面熔融物顆粒和孔隙的尺寸增大，大顆粒和大孔隙均呈現數目增多且分布不均勻的變化趨勢，氧化時間大于一定時間時，膜層中出現裂紋[48]。
2.4 添加劑
添加劑是在原有的電解液體系中加入某種成分用來改變氧化膜的結構和提高膜層性能。目前使用的微弧氧化電解液易產生過于強烈、持續的火花放電而導致陶瓷膜層結構變得疏松、放電微孔較大甚至發生崩落、破壞，同時，單一電解液體系中形成的陶瓷層厚度較薄，致密性較差，對基體的保護有限，很難滿足實際的需求。因此，需要向電解液中添加具有抑制微弧作用和改善溶液穩定性的物質來提高處理液和工藝的穩定性。常用的添加劑有Na2WO4、蒙脫石、EDTA、阿拉伯樹膠、加Al復合化合物(NaPO3)6和丙三醇等[49]。
考慮添加丙三醇作為添加劑，這主要是因為它可以較好地抑制尖端劇烈放電現象，從而穩定微弧氧化過程。隨著丙三醇含量的增加，氧化膜層厚度逐漸降低，表面孔洞變小，微裂紋數量減少，膜層外觀質量得到極大的改善，丙三醇對陶瓷層相組成無明顯影響，但MgO含量增加，Mg2SiO4的含量則有所降低[50]。有研究發現KF的加入也將增加電解液的導電率和膜層致密度，同時降低電壓、孔徑及表面粗糙度。此外，硅酸鹽也會提高膜層的耐蝕性等[51]。
近年來，學者們開始對納米材料及復合電解液展開研究。電解液中加入納米添加劑，在微弧氧化工藝過程中納米粒子進入氧化物涂層，利用納米材料的特殊性能，可極大地改善涂層的防腐蝕和抗擦傷性能。Mosab等[52]研究了微弧氧化（MAO）在AZ31鎂合金表面形成WO3-MgO氧化層的表面特性，發現WO3的均勻摻入更好的填充結構缺陷使AZ31鎂合金基體具有優異耐蝕性。楊曉飛等[53]發現在NaAlO2-Na3PO4復合電解液體系中加入納米TiO2后膜層更致密，膜層的耐蝕性和耐磨性更好。在電解液中添加一些其他稀有金屬元素，也可改變膜層的性能。如Laleh等[54]發現在微弧氧化過程中加入Ce可以顯著提高膜層耐蝕性，明顯降低孔隙率。Lee的[55]發現添加3%~5%銅離子，將會使生成的膜層從棕色變成深棕色，厚度增加，耐蝕性明顯提高。(NaPO3)6增加了反應過程中基體鎂合金表面的“氧空位”和溶液中PO3−的含量，促使元素Mg在金屬/膜層(M/F)界面上快速形成相應氧化物，從而增加了陶瓷層的厚度和致密性，微弧氧化陶瓷層的生長速率加快，膜層的厚度和致密性增加。添加后，陶瓷層自腐蝕電位正移98.8 mV，自腐蝕電流密度降低3個數量級[56]。
添加劑的加入可以使陶瓷層中的微孔孔徑減小，微觀結構發生改變，還使得微弧氧化過程中的起弧電壓和穩態工作電壓下降，能耗下降。Kü?ükosman等[57]采用微弧氧化（MAO）和微弧水熱處理（HT）在AZ91鎂合金表面制備了復合涂層。在石墨粒徑為5~10 μm和75 μm的硅酸鹽/磷酸鹽基電解質中進行鎂合金的微弧氧化處理，然后將所得樣品在石墨-乙醇混合物中于150 ℃進行水熱處理，石墨的加入增加了涂層的厚度和致密性，表面形貌相對均勻。熱處理使涂層表面石墨含量增加，磨損實驗結果表明，石墨摻雜的MAO-HT復合涂層的耐磨性得到顯著提高[58]。
2.5 稀土對鎂合金微弧氧化的影響
稀土是許多陶瓷材料重要的改性元素，對于改善陶瓷材料的致密性和結構具有明顯的作用[54]。稀土可以參與微弧氧化的各個階段并對陶瓷層的性能產生影響。鎂合金經過稀土鹽的預處理，在微弧氧化過程中，起弧電壓下降，陶瓷層表面均勻致密，厚度均勻，耐蝕性提高，陶瓷層的成分沒有改變[59]。稀土元素也可直接加入到處理液中，處理液中添加硝酸鑭或硝酸鈰，可降低起弧電壓，陶瓷層厚度增加，微孔與內層不連通，稀土元素提高了微弧氧化陶瓷層的腐蝕電位，降低了腐蝕電流，但也有相關研究顯示稀土元素加入處理液中可以進入陶瓷層，使陶瓷層變得致密均勻，表面更加光滑，卻使陶瓷層的厚度減小[60］。
微弧氧化過程中，稀土元素有利于提高鎂合金中的Mg2+向膜層表面遷移的速度，鎂元素在微弧氧化層的含量從內層到外層逐漸增加[61]，這可促進微弧氧化膜層上的反應發生，有利于膜層的增長，從而提高了鎂合金微弧氧化膜層的生長速率，相同的處理條件下膜層厚度有大幅增長，而且氧化層厚度均勻，與基體金屬結合緊密[62]，這都有利于膜層的耐腐蝕、耐磨性能提高。
稀土元素可以提高微弧氧化層的致密度，陳海燕等[63]在處理液中加入稀土配合物，提高鎂合金表面微弧氧化陶瓷層的致密均勻程度，降低孔隙率，提高表面光滑度，但使陶瓷層的厚度變薄，同時微弧氧化陶瓷層摩擦系數降低，摩擦磨損性能得到改善。吳海江等[64]在硅酸鈉堿溶液中添加了硝酸鈰、硝酸鑭稀土添加劑，鎂合金微弧氧化膜層表觀均勻致密，厚度均勻，耐蝕性提高，膜層的成分沒有改變。Cai等[65]在電解液中添加硝酸鑭或硝酸鈰，可降低起弧電壓，膜層增厚，孔洞與內膜層不連通，稀土元素也提高了微弧氧化膜層的腐蝕電位，降低了腐蝕電流。
3. 微弧氧化膜的組成
鎂合金微弧氧化的研究主要集中在對陶瓷膜的相組成、表面形貌及膜層成分分析上，而關于電解液對微弧氧化過程及膜層性能的影響報道較少。在電解液溶液體系中，由于硅酸鹽體系SiO32−的吸附能力較強，所以研究也較為廣泛。
在硅酸鹽體系和有機胺體系下對AZ91D合金進行直流微弧氧化處理[66]，雖然兩種電解質體系涂層元素成分和組成相相同，均為金屬相、MgO相和Mg2SiO3相，但有機胺電解質體系的涂層中非金屬相(MgO、Mg2SiO4)相對含量高于硅酸鹽處理體系，有機胺體系獲得的涂層表面均勻致密性也優于硅酸鹽體系。
在生成微弧陶瓷膜的過程中，電流密度對鎂合金微弧氧化膜的性能會產生影響，氧化膜主要由晶態的MgO、Mg2SiO3及Mg2SiO4組成，但是隨著氧化電流密度的升高，膜層的X射線衍射圖中晶態MgO、MgSiO3及Mg2SiO4的衍射峰強度逐漸升高，即膜層的晶化程度升高[67]。同時鎂合金微弧氧化處理可使其表面硬度大幅提高，電源脈沖頻率、占空比、電壓、處理時間參數增加，都可使鎂合金微弧氧化膜層的顯微硬度增加。在一定范圍內增加溶液的電導率，可使膜層的顯微硬度提高。
Alex等[68]研究了AZ91D、ZE41A合金在含KOH、K2SiO4和KF電解液中形成的微弧氧化膜，發現其主要由Mg、Si、O、F及少量的K組成，并從測得的能鍵發現，硅以硅酸根離子而非SiO2的形式存在，F以F-形式存在。
不同電解液體系中生成的陶瓷膜結構和性能不同，硅酸鈉體系中生成的陶瓷膜厚度大、偏鋁酸鈉體樂中生成的陶瓷膜較薄，偏鋁酸鈉與硅酸鈉的混合體系中生成的陶瓷膜致密、耐府蝕性能較好。三體系中生成的陶瓷膜中都含有MgO，偏鋁酸鈉體系陶瓷膜中含有MgAl2O4、硅酸鈉體系中含有Mg2SiO4，混合體系兩種物質都存在[69]。
生成的微弧氧化膜層中都含有高熔點的相，如MgO，MgA12O4，Mg3A12Si3Ol2等，這不僅證實微弧區瞬間溫度非常高，而且表明溶液中離子直接參與了微弧區附近的化學反應。在微弧氧化陶瓷層中，堿性硅酸鹽處理體系中微弧氧化陶瓷相Mg2SiO4的形成機理[70]分為2個步驟：（1）
膜層結構同時與電解液等工藝參數以及添加劑等有關，Wu等[72]制備了AZ91D微弧氧化層，如圖8所示，氧化膜為兩層結構，外層為疏松層，存在許多孔洞；內層比較致密，厚度約占整個氧化膜厚度的70%，且與基體結合緊密。這是鎂合金微弧氧化膜的典型結構。疏松層由許多孔洞(放電通道)和其他缺陷組成；致密層無明顯的孔洞(放電通道)和其他缺陷。在表面形貌中所看到的孔洞并不貫穿整個氧化膜，開始于表面疏松層，終止于內部致密層。Shi等[73]采用微弧氧化法在WE43鎂合金表面制備了含硒涂層，所研制的摻硒涂層顯著提高了WE43合金基體的耐蝕性，兩步微弧氧化由于微裂紋少、厚度大，可以進一步提高鎂合金涂層的耐蝕性。Nashrah等[74]研究了微弧氧化（MAO）生成氧化層的形成機理，如圖9所示，溝槽樣品比扁平樣品更早達到擊穿電壓，溝槽樣品的生長速率高于平板樣品，這與微放電活動相吻合。這種形成機制與不同表面結構上形成的氧化層的成核和生長有關。
4. 結束語
經過多年的研究，鎂合金微弧氧化技術已經有了長足的發展，但微弧氧化技術及其在鎂合金表面的理論研究和應用仍存在許多不足，亟待進一步完善：
（1）微弧氧化陶瓷層表面存在大量的微孔，表面粗糙，致密度較低，嚴重影響陶瓷層的性能。近年來通過復合表面處理技術，如微弧-電泳復合處理工藝等，可以提高耐磨和耐蝕性能，改善致密層質量，增強陶瓷層的性能。
（2）由于稀土元素優異的改性性能，其可以使微弧氧化起弧時間短，起弧電壓下降明顯，氧化膜均勻，表面顏色更白，同時還可以增加氧化膜的厚度，使得稀土元素在微弧氧化中的作用愈加明顯，并且我國稀土資源豐富，開發稀土元素在微弧氧化工藝中的應用有較大的意義。
（3）交流脈沖電源在鎂合金微弧氧化過程中生長的陶瓷膜性能比直流電源生產的陶瓷膜的質量和性能高得多，因此交流脈沖電源模式將是微弧氧化技術的重要發展方向。
（4）雖然鎂合金微弧氧化后性能要優于陽極氧化，但微弧氧化成本較高，因此開發成本低、可回收、再利用、無污染的電解液是微弧氧化技術研究的關鍵。
微弧氧化層技術的應用和廣泛發展存在著諸多限制性因素，為了大力促進微弧氧化技術的發展，并實現工程化應用，開發無污染電解液是微弧氧化層技術的首要任務，完善工藝參數，降低成本，盡早實現抑制弧光能耗，解決鎂合金微弧氧化工業化應用的難題
來源：金屬世界